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1N4148WS-E3-18 与
BC846B-7-F、BC846BLT3G、BC846B-TP 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥0.13720 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.10732 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.31644 查看详情 查看数据资料 | 制造商：MCC 最优价格：￥0.06780 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tape/Reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 反向峰值电压（最大值） | 100V | - | - | - |
| 工作温度-结 | -55°C~150°C | - | - | - |
| 反向漏电流IR | 100µA | - | - | - |
| 正向压降VF | 1.2V | - | - | - |
| 平均整流电流 | 150mA | - | - | - |
| 反向耐压VR | 100V | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 封装/外壳 | SOD-323 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 二极管配置 | 单路 | - | - | - |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 二极管类型 | 标准 | - | - | - |
| 存储温度 | -65~+150℃ | - | -55℃~+150℃ | - |
| 引脚数 | 2Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 正向压降VF Max | 1V | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 原产国家 | America | - | America | - |
| 最小包装 | 10000pcs | 3000pcs | 10000pcs | 3000pcs |
| 认证信息 | RoHS | - | - | - |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 350mA | - | - | - |
| 系列 | - | Original | - | - |
| 应用 | 汽车 | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 品牌 | Vishay | DIODES | ON | MCC |
| 总电容C | 4pF | - | - | - |
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | - |
| 长x宽/尺寸 | 1.95 x 1.50mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 3.04 x 1.40mm |
| 制造商标准提前期 | 16 周 | - | 12 周 | 8 周 |
| 高度 | 1.15mm | 1.03mm | 1.00mm | 1.12mm |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | - |
| 跃迁频率 | - | 300MHz | 100MHz | 100MHz |
| DC电流增益(hFE) | - | 200 | 450 | 200~450 |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | - | 65V | 65V | 65V |
| Vce饱和压降 | - | 600mV | 600mV | 500mV |
| 晶体管类型 | - | NPN | NPN | NPN |
| 集电极截止电流 (Icbo) | - | 15nA | 15nA（ICBO） | 100nA |
| 集电极-基极电压（VCBO） | - | 80V | 80V | - |
| 极性 | - | NPN | NPN | NPN |
| 特征频率(fT) | - | 300MHz | 100MHz | 100MHz |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | - | 65V | 65V | 65V |
| 集电极电流 Ic | - | 100mA | 100mA | 100mA |
| 额定功率 | - | 310mW | 300mW | 225mW |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | Active |
| 功率耗散 | - | 310mW | 300mW | 225mW |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | 6V | 6V | - |
| 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO | - | - | 65V | - |
| 印字代码 | - | - | 1B | - |
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