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    CRCW0805240RFKEA2N7002Q-7-F、2N7002E-7-F、2V7002LT1G 的区别

    CRCW0805240RFKEA

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.08845

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    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17594

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    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.13104

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    2V7002LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30849

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    ECCN编码
    温度系数±100ppm/℃---
    包装Tape/ReelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reel
    功率125mW---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    特性----
    工作温度-55℃~+155℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    封装/外壳0805SOT-23SOT-23SOT-23
    精度±1%---
    长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    技术/工艺厚膜---
    电阻类型厚膜电阻---
    系列CRCWAutomotive,AEC-Q101-Automotive,AEC-Q101
    等级AEC-Q200---
    品牌VishayDIODESDIODESON
    额定电压150V---
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    存储温度-55℃~+155℃---55℃~+150℃
    最小包装5000pcs3000pcs-3000pcs
    高度0.45mm1.15mm1.10mm1.11mm
    是否无铅Yes-YesYes
    元件生命周期ActiveActive--
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.Diodes Incorporated-ON Semiconductor
    原产国家AmericaAmerica-America
    认证信息RoHS, HF(halogen free), AEC-Q200--RoHS
    应用Automotive Electronics, Consumer, Industrial---
    卷盘尺寸Φ180mm---
    阻值240Ω---
    栅极电荷(Qg)-0.233nC--
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    阈值电压-2.5V2.5V@250µA2.5V@250µA
    连续漏极电流-170mA250mA115mA
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    功率耗散-370mW370mW225mW
    额定功率-370mW370mW225mW
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-5Ω@500mA,10V3Ω@10V,250mA7.5Ω@10V,500mA
    零件状态-ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-5,10V4.5V,10V5V,10V
    击穿电压-60V-60V
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    输入电容-50pF50pF@25V50pF@25V
    栅极源极击穿电压-±20V-±20V
    FET功能----
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    制造商标准提前期--12 周26 周
    漏极电流---115mA
    配置---单路
    反向传输电容Crss---5pF
    印字代码---702 M= =
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