尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    SBC847BLT1GLBC847BLT1G、BC847BLT1G、BC847B-7-F 的区别

    SBC847BLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.48159

    查看详情 查看数据资料

    LBC847BLT1G

    制造商:LRC

    最优价格:¥0.04480

    查看详情

    BC847BLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09624

    查看详情

    BC847B-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.14165

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    集射极击穿电压Vce(Max)45V45V45V45V
    跃迁频率100MHz100MHz100MHz300MHz
    DC电流增益(hFE)290200200~450200
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    Vce饱和压降600mV600mV600mV600mV
    配置单路-单路单路
    品牌ONLRCONDIODES
    集电极截止电流 (Icbo)15nA(ICBO)-15nA(ICBO)15nA
    印字代码1F-1F-
    原产国家AmericaChinaAmerica-
    原始制造商ON SemiconductorLeshan Radio Co., Ltd.ON SemiconductorDiodes Incorporated
    是否无铅YesYesYesYes
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    高度1.00mm1.10mm1.00mm1.10mm
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+150℃-
    系列---Original
    功率耗散300mW225mW300mW310mW
    特征频率(fT)100MHz100MHz100MHz300MHz
    额定功率300mW225mW300mW300mW
    发射极与基极之间电压 VEBO6V-6V6V
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    制造商标准提前期12 周-12 周-
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))45V45V45V45V
    集电极-基极电压(VCBO)50V-50V50V
    集电极电流 Ic100mA100mA100mA100mA
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)1(无限)
    极性NPNNPNNPNNPN
    元件生命周期-Active-Active
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO--45V45V
    发射极基极导通电压VBE(on)--660mV-
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照