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SBC847BLT1G 与
BC847BLT1G、BC847B-7-F、NSVBC847BLT3G 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT346 |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 45V | 45V | 45V | 45V |
| 跃迁频率 | 100MHz | 100MHz | 300MHz | 100MHz |
| DC电流增益(hFE) | 290 | 200~450 | 200 | 200 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | 带卷（TR） |
| Vce饱和压降 | 600mV | 600mV | 600mV | 600mV |
| 配置 | 单路 | 单路 | 单路 | - |
| 晶体管类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 原始制造商 | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | - |
| 高度 | 1.00mm | 1.00mm | 1.10mm | 0.94mm |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 3.00 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - | - |
| 系列 | - | - | Original | - |
| 功率耗散 | 300mW | 300mW | 310mW | 225mW |
| 特征频率(fT) | 100MHz | 100MHz | 300MHz | - |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | 6V | 6V | 6V | - |
| 额定功率 | 300mW | 300mW | 300mW | - |
| 制造商标准提前期 | 12 周 | 12 周 | - | 12 周 |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | 45V | 45V | 45V | - |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 集电极-基极电压（VCBO） | 50V | 50V | 50V | - |
| 集电极电流 Ic | 100mA | 100mA | 100mA | 100mA |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 极性 | NPN | NPN | NPN | - |
| 品牌 | ON | ON | DIODES | - |
| 集电极截止电流 (Icbo) | 15nA（ICBO） | 15nA（ICBO） | 15nA | 15nA（ICBO） |
| 印字代码 | 1F | 1F | - | - |
| 原产国家 | America | America | - | - |
| 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO | - | 45V | 45V | - |
| 发射极基极导通电压VBE(on) | - | 660mV | - | - |
| 元件生命周期 | - | - | Active | - |
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