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    SBC847BLT1GNSVBC847BLT3G、LBC847BLT1G、BC847BLT1G 的区别

    SBC847BLT1G

    制造商:ON

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    NSVBC847BLT3G

    制造商:ON

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    LBC847BLT1G

    制造商:LRC

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    BC847BLT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    包装Tape/reel带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    配置单路--单路
    Vce饱和压降600mV600mV600mV600mV
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    封装/外壳SOT-23SOT346SOT-23SOT-23
    集射极击穿电压Vce(Max)45V45V45V45V
    跃迁频率100MHz100MHz100MHz100MHz
    DC电流增益(hFE)290200200200~450
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    集电极电流 Ic100mA100mA100mA100mA
    极性NPN-NPNNPN
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-1(无限)
    品牌ON-LRCON
    印字代码1F--1F
    集电极截止电流 (Icbo)15nA(ICBO)15nA(ICBO)-15nA(ICBO)
    原产国家America-ChinaAmerica
    原始制造商ON Semiconductor-Leshan Radio Co., Ltd.ON Semiconductor
    是否无铅YesYesYesYes
    最小包装3000pcs-3000pcs3000pcs
    高度1.00mm0.94mm1.10mm1.00mm
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    存储温度-55℃~+150℃---55℃~+150℃
    系列----
    功率耗散300mW225mW225mW300mW
    特征频率(fT)100MHz-100MHz100MHz
    发射极与基极之间电压 VEBO6V--6V
    额定功率300mW-225mW300mW
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))45V-45V45V
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    制造商标准提前期12 周12 周-12 周
    集电极-基极电压(VCBO)50V--50V
    元件生命周期--Active-
    发射极基极导通电压VBE(on)---660mV
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO---45V
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