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DB128V-5.0-2P-GN-S 与
AO3415A、AO3419、AO3413 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 应用 | Consumer | - | - | - |
| 安装类型 | 直插 | SMT | SMT | SMT |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 包装 | Bulk packing | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 电流-UL | 16A | - | - | - |
| 电流-IEC | 24A | - | - | - |
| 触头镀层 | Sn | - | - | - |
| 端子类型 | 插拔式接线端子 | - | - | - |
| 额定电流 | 24A | - | - | - |
| 类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 线规或范围-mm² | 2.5mm² | - | - | - |
| 针脚数 | 2Pin | - | - | - |
| 线规或范围-AWG | 22-12AWG | - | - | - |
| 封装/外壳 | 插件,P=5mm | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 排数 | 单排 | - | - | - |
| 脚间距 | 5.00mm | - | 1.9mm | - |
| 原产国家 | China | America | - | America |
| 认证信息 | RoHS | RoHS | - | - |
| 应用等级 | Consumer | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 元件生命周期 | Active | Active | - | Active |
| 插针结构 | 1x2P | - | - | - |
| 制造商 | Cixi Dorabo Electronics Co., Ltd. | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 最小包装 | 500pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 存储温度 | -40~+105℃ | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ |
| 电压-UL | 300V | - | - | - |
| 高度 | 14.00mm | 1.25mm | 1.25mm | 1.25mm |
| 长x宽/尺寸 | 10.00 x 10.20mm | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.60mm |
| 电压-IEC | 250V | - | - | - |
| 系列 | DB128V | - | - | - |
| 颜色 | 绿色 | - | - | - |
| 阈值电压 | - | 850mV@250µA | 1.4V@250μA | 1V@250µA |
| 漏极电流 | - | 5A | - | 3A |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | 20V | 20V |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±8V | ±12V | ±8V |
| 连续漏极电流 | - | 5A | 2.8A | 2.4A |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 充电电量 | - | 9.3nC | - | 11nC |
| 输入电容 | - | 940pF@10V | 400pF@10V | 540pF@10V |
| 功率耗散 | - | 1.5W | 1.4W | 1.4W |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 1.5V，4.5V | 1.8V，10V | 1.8V，4.5V |
| 原始制造商 | - | Alpha and Omega Semiconductor | - | Alpha and Omega Semiconductor |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 额定功率 | - | 1.5W | 1.4W | 1.4W |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 45mΩ@4.5V,4A | 85mΩ@4.5V,3A | 97mΩ@4.5V,3A |
| 品牌 | - | AOS | AOS | AOS |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 击穿电压 | - | 20V | - | 20V |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±8V | - | ±8V |
| 制造商标准提前期 | - | 16 周 | 16 周 | 16 周 |
| 反向传输电容Crss | - | 80pF | 37pF@10V | 70pF |
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