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    PDTA113ZM,315TL431BQDR、TL431BID、TL431BIDG 的区别

    PDTA113ZM,315

    制造商:Nexperia

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    TL431BQDR

    制造商:TI

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    TL431BID

    制造商:TI

    最优价格:¥0.96920

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    TL431BIDG

    制造商:ON

    最优价格:¥1.57780

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    ECCN编码
    Vce饱和压降150mV---
    工作温度+150℃-40℃~+125℃-40℃~+85℃-40℃~+85℃
    包装Tape/reel---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT883SOIC8_150MILSOIC8_150MILSOIC-8
    晶体管类型PNP---
    集射极击穿电压Vce(Max)50V---
    DC电流增益(hFE)35---
    基射极电阻(R2)1k---
    跃迁频率----
    品牌NexperiaTITIOnsemi
    功率耗散250mW---
    极性PNP---
    长x宽/尺寸1.02 x 0.62mm5.00 x 3.98mm5.00 x 3.98mm4.90 x 3.90mm
    高度0.50mm1.75mm1.75mm1.38mm
    是否无铅YesYesYesYes
    最小包装10000pcs---
    引脚数3Pin8Pin8Pin8Pin
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    集电极截止电流 (Icbo)1µA---
    电阻器-发射极基底(R3)(欧姆)10k---
    系列Original---
    额定功率250mW---
    集电极电流 Ic100mA---
    零件状态Active---
    集电极-发射极电压 VCEO50V---
    精度-±0.5%±0.5%±0.4%
    输出类型-AdjustableAdjustableAdjustable
    阴极电流-700μA700μA1mA
    输出电流-100mA100mA100mA
    工作电流----
    温度系数(温漂)---50ppm/℃
    初始精度(误差)-±0.5%±0.5%±0.4%
    参考源类型-ShuntShuntShunt
    输出电压-2.495V2.495V2.495V
    输入电压----
    原始制造商-Texas Instruments IncorporatedTexas Instruments IncorporatedON Semiconductor Inc.
    脚间距-1.27mm1.27mm-
    容差-±0.5%±0.5%±0.4%
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