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PDTA113ZM,315 与
TL431BIDG、TL431BQDR、TL431BID 的区别
制造商：Nexperia 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥1.57780 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥0.99094 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥0.96920 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 跃迁频率 | - | - | - | - |
| Vce饱和压降 | 150mV | - | - | - |
| 工作温度 | +150℃ | -40℃~+85℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+85℃ |
| 包装 | Tape/reel | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | SOT883 | SOIC-8 | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL |
| 晶体管类型 | PNP | - | - | - |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 50V | - | - | - |
| DC电流增益(hFE) | 35 | - | - | - |
| 基射极电阻（R2） | 1k | - | - | - |
| 额定功率 | 250mW | - | - | - |
| 系列 | Original | - | - | - |
| 集电极电流 Ic | 100mA | - | - | - |
| 集电极-发射极电压 VCEO | 50V | - | - | - |
| 零件状态 | Active | - | - | - |
| 品牌 | Nexperia | Onsemi | TI | TI |
| 功率耗散 | 250mW | - | - | - |
| 极性 | PNP | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 1.02 x 0.62mm | 4.90 x 3.90mm | 5.00 x 3.98mm | 5.00 x 3.98mm |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 高度 | 0.50mm | 1.38mm | 1.75mm | 1.75mm |
| 最小包装 | 10000pcs | - | - | - |
| 引脚数 | 3Pin | 8Pin | 8Pin | 8Pin |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | - | - |
| 集电极截止电流 (Icbo) | 1µA | - | - | - |
| 电阻器-发射极基底（R3）（欧姆） | 10k | - | - | - |
| 参考源类型 | - | Shunt | Shunt | Shunt |
| 输出电压 | - | 2.495V | 2.495V | 2.495V |
| 输出类型 | - | Adjustable | Adjustable | Adjustable |
| 精度 | - | ±0.4% | ±0.5% | ±0.5% |
| 温度系数（温漂） | - | 50ppm/℃ | - | - |
| 阴极电流 | - | 1mA | 700μA | 700μA |
| 输出电流 | - | 100mA | 100mA | 100mA |
| 工作电流 | - | - | - | - |
| 初始精度（误差） | - | ±0.4% | ±0.5% | ±0.5% |
| 原始制造商 | - | ON Semiconductor Inc. | Texas Instruments Incorporated | Texas Instruments Incorporated |
| 输入电压 | - | - | - | - |
| 容差 | - | ±0.4% | ±0.5% | ±0.5% |
| 脚间距 | - | - | 1.27mm | 1.27mm |
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