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BUK7Y72-80EX 与
TL431BQDR、TL431BID、TL431BIDG 的区别
制造商：Nexperia 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥0.99094 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥0.96920 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥1.57780 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 配置 | 单路 | - | - | - |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | - |
| 包装 | Tape/reel | - | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+85℃ | -40℃~+85℃ |
| 栅极电荷(Qg) | 9.8nC | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT669 | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL | SOIC-8 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 阈值电压 | 4V | - | - | - |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | - | - | - |
| 连续漏极电流 | 16A | - | - | - |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | - | - |
| 极性 | N-沟道 | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 5.00 x 4.10mm | 5.00 x 3.98mm | 5.00 x 3.98mm | 4.90 x 3.90mm |
| 高度 | 1.10mm | 1.75mm | 1.75mm | 1.38mm |
| 零件状态 | Active | - | - | - |
| 最小包装 | 1500pcs | - | - | - |
| 系列 | TrenchMOS™ | - | - | - |
| 是否无铅 | No | Yes | Yes | Yes |
| 充电电量 | 9.8nC | - | - | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 72毫欧@5A，10V | - | - | - |
| 功率耗散 | 45W | - | - | - |
| 输入电容 | 633pF | - | - | - |
| 品牌 | Nexperia | TI | TI | Onsemi |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | - | - | - |
| 额定功率 | 45W | - | - | - |
| 输出类型 | - | Adjustable | Adjustable | Adjustable |
| 引脚数 | - | 8Pin | 8Pin | 8Pin |
| 阴极电流 | - | 700μA | 700μA | 1mA |
| 输出电流 | - | 100mA | 100mA | 100mA |
| 工作电流 | - | - | - | - |
| 温度系数（温漂） | - | - | - | 50ppm/℃ |
| 初始精度（误差） | - | ±0.5% | ±0.5% | ±0.4% |
| 输出电压 | - | 2.495V | 2.495V | 2.495V |
| 参考源类型 | - | Shunt | Shunt | Shunt |
| 精度 | - | ±0.5% | ±0.5% | ±0.4% |
| 输入电压 | - | - | - | - |
| 原始制造商 | - | Texas Instruments Incorporated | Texas Instruments Incorporated | ON Semiconductor Inc. |
| 容差 | - | ±0.5% | ±0.5% | ±0.4% |
| 脚间距 | - | 1.27mm | 1.27mm | - |
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