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BST82,235BSS192,135、BST82,215、2N7002,215 的区别

BST82,235

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BSS192,135

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BST82,215

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2N7002,215

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ECCN编码
FET功能----
栅极电荷(Qg)----
晶体管类型N沟道P沟道N沟道N沟道
包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
漏源电压(Vdss)100V240V100V60V
工作温度-55℃~+175℃-55℃~+175℃-65℃~+150℃(TJ)-65℃~+150℃
连续漏极电流190mA200mA190mA300mA
封装/外壳SOT-23SOT89-3SOT-23SOT-23
安装类型SMTSMTSMTSMT
配置单路单路单路单路
阈值电压2V@1mA2.8V@1mA2V@1mA2.5V@250µA
功率耗散830mW1W830mW830mW
输入电容25pF55pF40pF50pF
原产国家NetherlandsNetherlandsAmericaAmerica
原始制造商Nexperia Electronics Co. LtdNexperia Electronics Co. LtdNexperia Semiconductor Co., Ltd.Nexperia Semiconductor Co., Ltd.
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
最小包装1000pcs1000pcs3000pcs3000pcs
引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)-
高度1.80mm1.50mm1.10mm1.10mm
长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm4.50 x 2.50mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm
是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYes
存储温度-55℃~+175℃-55℃~+175℃-65℃~+150℃-65℃~+150℃
反向传输电容Crss5pF5pF5pF3.5pF
击穿电压100V240V100V60V
系列TrenchMOS™-TrenchMOS™TrenchMOS™
零件状态在售在售ActiveActive
极性N-沟道P-沟道N-沟道N-沟道
制造商标准提前期8 周13 周8 周8 周
品牌NexperiaNexperiaNexperiaNexperia
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)10欧姆@150mA,5V12欧姆@200mA,10V10欧姆@150mA,5V-
栅极源极击穿电压±20V±20V±20V±30V
充电电量-1.9nC--
漏极电流--190mA300mA
认证信息--RoHS-
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)--5V10V
印字代码---0.12
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