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BST82,235 与
BSS123,215、BSS192,115、BSS192,135 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | 100V | 240V | 240V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ |
| 连续漏极电流 | 190mA | 150mA | 200mA | 200mA |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT89-3 | SOT89-3 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 配置 | 单路 | 单路 | 单路 | 单路 |
| 阈值电压 | 2V@1mA | 2.8V@1mA | 2.8V@1mA | 2.8V@1mA |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | - |
| 输入电容 | 25pF | 23pF | 55pF | 55pF |
| 原产国家 | Netherlands | Netherlands | Netherlands | Netherlands |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 原始制造商 | Nexperia Electronics Co. Ltd | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. | Nexperia Electronics Co. Ltd | Nexperia Electronics Co. Ltd |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最小包装 | 1000pcs | 3000pcs | 1000pcs | 1000pcs |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 高度 | 1.80mm | 1.10mm | 1.60mm | 1.50mm |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 4.60 x 2.60mm | 4.50 x 2.50mm |
| 存储温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ |
| 系列 | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | - | - |
| 反向传输电容Crss | 5pF | 4pF | 5pF | 5pF |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 击穿电压 | 100V | 100V | 240V | 240V |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 8 周 | 13 周 | 13 周 |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10欧姆@150mA，5V | 6欧姆@120mA，10V | - | 12欧姆@200mA，10V |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 品牌 | Nexperia | Nexperia | Nexperia | Nexperia |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 功率耗散 | 830mW | 250mW | 1W | 1W |
| 元件生命周期 | - | Active | - | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | 10V | - |
| 充电电量 | - | - | 1.9nC | 1.9nC |
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