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BST82,2352N7002,215、BSS123,215、BSS192,115 的区别

BST82,235

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2N7002,215

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BSS123,215

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BSS192,115

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ECCN编码
工作温度-55℃~+175℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+175℃
连续漏极电流190mA300mA150mA200mA
封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT89-3
安装类型SMTSMTSMTSMT
配置单路单路单路单路
阈值电压2V@1mA2.5V@250µA2.8V@1mA2.8V@1mA
FET功能----
栅极电荷(Qg)----
晶体管类型N沟道N沟道N沟道P沟道
包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
漏源电压(Vdss)100V60V100V240V
原始制造商Nexperia Electronics Co. LtdNexperia Semiconductor Co., Ltd.Nexperia Semiconductor Co., Ltd.Nexperia Electronics Co. Ltd
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
最小包装1000pcs3000pcs3000pcs1000pcs
技术路线MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
高度1.80mm1.10mm1.10mm1.60mm
是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求Yes无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求Yes
长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm2.90 x 1.30mm4.60 x 2.60mm
存储温度-55℃~+175℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+175℃
反向传输电容Crss5pF3.5pF4pF5pF
系列TrenchMOS™TrenchMOS™TrenchMOS™-
击穿电压100V60V100V240V
零件状态在售ActiveActiveActive
制造商标准提前期8 周8 周8 周13 周
极性N-沟道N-沟道N-沟道P-沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)10欧姆@150mA,5V-6欧姆@120mA,10V-
品牌NexperiaNexperiaNexperiaNexperia
栅极源极击穿电压±20V±30V±20V±20V
功率耗散830mW830mW250mW1W
输入电容25pF50pF23pF55pF
原产国家NetherlandsAmericaNetherlandsNetherlands
漏极电流-300mA--
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-10V10V10V
印字代码-0.12--
元件生命周期--Active-
充电电量---1.9nC
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