BSS192,135与BST82,235、2N7002,215、BSS123,215的区别、参数差异，BSS192,135的近似替代型号-华秋商城

BSS192,135 与 BST82,235、2N7002,215、BSS123,215 的区别

隐藏相同项高亮不同项	BSS192,135 制造商：Nexperia 最优价格：￥查看详情 查看数据资料	BST82,235 制造商：Nexperia 最优价格：￥查看详情 查看数据资料	2N7002,215 制造商：Nexperia 最优价格：￥0.16301 查看详情 查看数据资料	BSS123,215 制造商：Nexperia 最优价格：￥0.40422 查看详情 查看数据资料
ECCN编码
阈值电压	2.8V@1mA	2V@1mA	2.5V@250µA	2.8V@1mA
连续漏极电流	200mA	190mA	300mA	150mA
晶体管类型	P沟道	N沟道	N沟道	N沟道
包装	Tape/reel	Tape/reel	Tape/reel	Tape/reel
配置	单路	单路	单路	单路
安装类型	SMT	SMT	SMT	SMT
封装/外壳	SOT89-3	SOT-23	SOT-23	SOT-23
Vgs(Max)	±20V	±20V	±30V	±20V
工作温度	-55℃~+175℃	-55℃~+175℃	-65℃~+150℃	-55℃~+150℃(TJ)
漏源电压(Vdss)	240V	100V	60V	100V
栅极电荷(Qg)	-	-	-	-
FET功能	-	-	-	-
原始制造商	Nexperia Electronics Co. Ltd	Nexperia Electronics Co. Ltd	Nexperia Semiconductor Co., Ltd.	Nexperia Semiconductor Co., Ltd.
引脚数	3Pin	3Pin	3Pin	3Pin
技术路线	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-	MOSFET (Metal Oxide)
存储温度	-55℃~+175℃	-55℃~+175℃	-65℃~+150℃	-55℃~+150℃
最小包装	1000pcs	1000pcs	3000pcs	3000pcs
充电电量	1.9nC	-	-	-
零件状态	Active	Active	Active	Active
反向传输电容Crss	5pF	5pF	3.5pF	4pF
系列	-	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™
击穿电压	240V	100V	60V	100V
制造商标准提前期	13 周	8 周	8 周	8 周
湿气敏感性等级 (MSL)	1（无限）	1（无限）	1（无限）	1（无限）
极性	P-沟道	N-沟道	N-沟道	N-沟道
是否无铅	Yes	Yes	Yes	Yes
品牌	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia
栅极源极击穿电压	±20V	±20V	±30V	±20V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	12欧姆@200mA，10V	10欧姆@150mA，5V	-	6欧姆@120mA，10V
功率耗散	1W	830mW	830mW	250mW
输入电容	55pF	25pF	50pF	23pF
长x宽/尺寸	4.50 x 2.50mm	2.90 x 1.30mm	3.00 x 1.40mm	2.90 x 1.30mm
高度	1.50mm	1.80mm	1.10mm	1.10mm
原产国家	Netherlands	Netherlands	America	Netherlands
漏极电流	-	-	300mA	-
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）	-	-	10V	10V
印字代码	-	-	0.12	-
元件生命周期	-	-	-	Active
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