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BSS192,135 与
BSS192,115、BST82,215、BST82,235 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 配置 | 单路 | 单路 | 单路 | 单路 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | SOT89-3 | SOT89-3 | SOT-23 | SOT-23 |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | 240V | 100V | 100V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -65℃~+150℃(TJ) | -55℃~+175℃ |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 阈值电压 | 2.8V@1mA | 2.8V@1mA | 2V@1mA | 2V@1mA |
| 连续漏极电流 | 200mA | 200mA | 190mA | 190mA |
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 零件状态 | 在售 | Active | Active | 在售 |
| 击穿电压 | 240V | 240V | 100V | 100V |
| 系列 | - | - | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ |
| 制造商标准提前期 | 13 周 | 13 周 | 8 周 | 8 周 |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 品牌 | Nexperia | Nexperia | Nexperia | Nexperia |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 功率耗散 | 1W | 1W | 830mW | 830mW |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12欧姆@200mA，10V | - | 10欧姆@150mA，5V | 10欧姆@150mA，5V |
| 长x宽/尺寸 | 4.50 x 2.50mm | 4.60 x 2.60mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
| 输入电容 | 55pF | 55pF | 40pF | 25pF |
| 高度 | 1.50mm | 1.60mm | 1.10mm | 1.80mm |
| 原产国家 | Netherlands | Netherlands | America | Netherlands |
| 原始制造商 | Nexperia Electronics Co. Ltd | Nexperia Electronics Co. Ltd | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. | Nexperia Electronics Co. Ltd |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 存储温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+175℃ |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最小包装 | 1000pcs | 1000pcs | 3000pcs | 1000pcs |
| 充电电量 | 1.9nC | 1.9nC | - | - |
| 反向传输电容Crss | 5pF | 5pF | 5pF | 5pF |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | 5V | - |
| 漏极电流 | - | - | 190mA | - |
| 认证信息 | - | - | RoHS | - |
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