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ECCN编码 | ||||
栅极电荷(Qg) | - | - | - | - |
配置 | 单路 | 单路 | 单路 | 单路 |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
晶体管类型 | P沟道 | N沟道 | P沟道 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 240V | 100V | 240V | 100V |
FET功能 | - | - | - | - |
阈值电压 | 2.8V@1mA | 2.8V@1mA | 2.8V@1mA | 2V@1mA |
连续漏极电流 | 200mA | 150mA | 200mA | 190mA |
工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+175℃ | -65℃~+150℃(TJ) |
包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
封装/外壳 | SOT89-3 | SOT-23 | SOT89-3 | SOT-23 |
击穿电压 | 240V | 100V | 240V | 100V |
系列 | - | TrenchMOS™ | - | TrenchMOS™ |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
极性 | P-沟道 | N-沟道 | P-沟道 | N-沟道 |
品牌 | Nexperia | Nexperia | Nexperia | Nexperia |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | 10V | - | 5V |
技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
输入电容 | 55pF | 23pF | 55pF | 40pF |
功率耗散 | 1W | 250mW | 1W | 830mW |
零件状态 | Active | Active | 在售 | Active |
原产国家 | Netherlands | Netherlands | Netherlands | America |
制造商标准提前期 | 13 周 | 8 周 | 13 周 | 8 周 |
原始制造商 | Nexperia Electronics Co. Ltd | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. | Nexperia Electronics Co. Ltd | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. |
最小包装 | 1000pcs | 3000pcs | 1000pcs | 3000pcs |
引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | - | 6欧姆@120mA,10V | 12欧姆@200mA,10V | 10欧姆@150mA,5V |
高度 | 1.60mm | 1.10mm | 1.50mm | 1.10mm |
是否无铅 | Yes | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes |
长x宽/尺寸 | 4.60 x 2.60mm | 2.90 x 1.30mm | 4.50 x 2.50mm | 2.90 x 1.30mm |
存储温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+175℃ | -65℃~+150℃ |
充电电量 | 1.9nC | - | 1.9nC | - |
反向传输电容Crss | 5pF | 4pF | 5pF | 5pF |
元件生命周期 | - | Active | - | - |
漏极电流 | - | - | - | 190mA |
认证信息 | - | - | - | RoHS |
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