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    74HC4538PW-Q100,11ZXMN3A03E6TA、NTGS4141NT1G、AO6404 的区别

    74HC4538PW-Q100,11

    制造商:Nexperia

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    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

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    NTGS4141NT1G

    制造商:ON

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    AO6404

    制造商:AOS

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    ECCN编码
    逻辑类型单稳态---
    电源电压2V~6V---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳TSSOP16_5X4.4MMSOT26TSOP-6SC74,SOT457
    元件生命周期ActiveActive--
    原始制造商Nexperia Semiconductor Co., Ltd.Diodes IncorporatedON Semiconductor-
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    制造商标准提前期8 周10 周30 周16 周
    系列74HC4538---
    电路数2---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    品牌NexperiaDIODESON-
    应用等级AEC-Q100---
    施密特触发器输入NO---
    高度1.10mm1.15mm1.00mm-
    延迟时间25ns---
    长x宽/尺寸5.00 x 4.40mm3.00 x 1.60mm3.00 x 1.50mm-
    输出电流5.2mA,5.2mA---
    认证信息RoHS-RoHS-
    原产国家HollandAmericaAmerica-
    工作温度-40℃~+125℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    存储温度-65~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    引脚数16Pin6Pin6Pin-
    是否无铅YesNoYesYes
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±20V±12V
    连续漏极电流-4.6A7A8.6A
    包装-Tape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    阈值电压-1V3V@250µA1V@250µA
    漏源电压(Vdss)-30V30V20V
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    输入电容-600pF560pF@24V1.81nF@10V
    栅极源极击穿电压-±20V±20V-
    反向传输电容Crss--15pF-
    最小包装-3000pcs3000pcs-
    击穿电压-30V30V-
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    充电电量-12.6nC6nC-
    额定功率-1.1W500mW2W
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-50mΩ@10V,7.8A25mΩ@7A,10V17mΩ@10V,8.5A
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V1.8V,10V
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    功率耗散-1.1W500mW2W
    配置--单路-
    漏极电流--3.5A-
    印字代码--S4 M= =-
    栅极电荷(Qg)---17.9nC
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