74HC4538PW-Q100,11 与
VB7322、ZXMN3A03E6TA、NTGS4141NT1G 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 逻辑类型 | 单稳态 | - | - | - |
| 电源电压 | 2V~6V | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | TSSOP16_5X4.4MM | TSOP-6 | SOT26 | TSOP-6 |
| 原始制造商 | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. | VBsemi Electronics Co. Ltd | Diodes Incorporated | ON Semiconductor |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | - | 1(无限) | 1(无限) |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | - | 10 周 | 30 周 |
| 系列 | 74HC4538 | - | - | - |
| 电路数 | 2 | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 品牌 | Nexperia | VBsemi | DIODES | ON |
| 应用等级 | AEC-Q100 | - | - | - |
| 施密特触发器输入 | NO | - | - | - |
| 高度 | 1.10mm | 1.10mm | 1.15mm | 1.00mm |
| 延迟时间 | 25ns | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 5.00 x 4.40mm | 3.05 x 1.65mm | 3.00 x 1.60mm | 3.00 x 1.50mm |
| 输出电流 | 5.2mA,5.2mA | - | - | - |
| 认证信息 | RoHS | - | - | RoHS |
| 原产国家 | Holland | China Taiwan | America | America |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ |
| 存储温度 | -65~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 引脚数 | 16Pin | 6Pin | 6Pin | 6Pin |
| 是否无铅 | Yes | Yes | No | Yes |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | 13nC | - | - |
| 连续漏极电流 | - | 5.5A | 4.6A | 7A |
| 配置 | - | 单路 | - | 单路 |
| 包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 30V |
| 漏极电流 | - | 6A | - | 3.5A |
| 阈值电压 | - | 1.5V@250µA | 1V | 3V@250µA |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 充电电量 | - | 4.2nC | 12.6nC | 6nC |
| 功率耗散 | - | 1.3W | 1.1W | 500mW |
| 输入电容 | - | 424pF | 600pF | 560pF@24V |
| 反向传输电容Crss | - | 42pF | - | 15pF |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 27mΩ | 50mΩ@10V,7.8A | 25mΩ@7A,10V |
| 击穿电压 | - | 30V | 30V | 30V |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 技术路线 | - | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 额定功率 | - | - | 1.1W | 500mW |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | - | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 类型 | - | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 印字代码 | - | - | - | S4 M= = |
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