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    74HC4538PW-Q100,11AO6408、VB7322、ZXMN3A03E6TA 的区别

    74HC4538PW-Q100,11

    制造商:Nexperia

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    AO6408

    制造商:AOS

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    VB7322

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.77970

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    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥8.84450

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    ECCN编码
    电源电压2V~6V---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳TSSOP16_5X4.4MMSC74,SOT457TSOP-6SOT26
    逻辑类型单稳态---
    施密特触发器输入NO---
    高度1.10mm-1.10mm1.15mm
    延迟时间25ns---
    长x宽/尺寸5.00 x 4.40mm-3.05 x 1.65mm3.00 x 1.60mm
    输出电流5.2mA,5.2mA---
    认证信息RoHS---
    原产国家Holland-China TaiwanAmerica
    工作温度-40℃~+125℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    存储温度-65~+150℃--55℃~+150℃-55℃~+150℃
    引脚数16Pin-6Pin6Pin
    是否无铅YesYesYesNo
    元件生命周期Active-ActiveActive
    原始制造商Nexperia Semiconductor Co., Ltd.-VBsemi Electronics Co. LtdDiodes Incorporated
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-1(无限)
    制造商标准提前期8 周--10 周
    系列74HC4538---
    电路数2---
    零件状态Active过期ActiveActive
    品牌Nexperia-VBsemiDIODES
    应用等级AEC-Q100---
    包装-剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    漏源电压(Vdss)-20V30V30V
    连续漏极电流-8.8A5.5A4.6A
    阈值电压-1V@250µA1.5V@250µA1V
    输入电容-2.2nF@10V424pF600pF
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-18毫欧@8.8A,10V27mΩ50mΩ@10V,7.8A
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    功率耗散-2W1.3W1.1W
    Vgs(Max)--±20V±20V
    漏极电流--6A-
    栅极电荷(Qg)--13nC-
    配置--单路-
    充电电量--4.2nC12.6nC
    反向传输电容Crss--42pF-
    击穿电压--30V30V
    栅极源极击穿电压--±20V±20V
    极性--N-沟道N-沟道
    最小包装--3000pcs3000pcs
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)---4.5V,10V
    类型---1个N沟道
    额定功率---1.1W
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