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    PSMN3R4-30BL,118CRCW080510R0JNEAIF、WR08X100JTL、CR0805J80100G 的区别

    PSMN3R4-30BL,118

    制造商:Nexperia

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    CRCW080510R0JNEAIF

    制造商:Vishay

    最优价格:¥3.79951

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    WR08X100JTL

    制造商:Walsin

    最优价格:¥0.00683

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    CR0805J80100G

    制造商:LIZ

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    ECCN编码
    包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    工作温度-55℃~+175℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃-55℃~+125℃
    封装/外壳SOT404080508050805
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    漏源电压(Vdss)30V---
    FET功能----
    配置单路---
    阈值电压2.15V@1mA---
    栅极电荷(Qg)64nC---
    连续漏极电流100A---
    晶体管类型N沟道---
    存储温度-55℃~+175℃-55℃~+155℃+5℃~+40℃+5℃~+30℃
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    长x宽/尺寸10.30 x 11.00mm2.00 x 1.25mm2.00 x 1.25mm2.00 x 1.25mm
    高度4.50mm0.45mm0.50mm0.60mm
    系列-CRCW-IFWR08CR
    引脚数2pin2Pin2Pin2Pin
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    最小包装800pcs5000pcs5000pcs5000pcs
    制造商标准提前期20 周---
    原始制造商Nexperia Electronics Co. LtdVishay Intertechnology, Inc.Walsin Technology CorporationLizhi Electronics (Kunshan) Co., Ltd.
    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)3.3毫欧@25A,10V---
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    原产国家NetherlandsAmericaChina TaiwanChina
    品牌NexperiaVishayWalsinLIZ
    极性N-沟道---
    输入电容3.907nF---
    击穿电压30V---
    栅极源极击穿电压±20V---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V---
    反向传输电容Crss356pF---
    充电电量64nC---
    功率耗散114W---
    零件状态在售---
    特性----
    技术/工艺-厚膜厚膜厚膜
    温度系数-±200ppm/℃-200ppm/℃~+400ppm/℃±200ppm/℃
    功率-1/8W1/8W1/8W
    精度-±5%±5%±5%
    认证信息-RoHS, HF(halogen free), AEC-Q200HF(halogen free), RoHS-
    应用-Automotive Electronics, Consumer, IndustrialConsumer-
    卷盘尺寸-Φ180mmΦ180mm-
    等级-AEC-Q200消费级通用
    额定电压-150V150V150V
    电阻类型-厚膜电阻厚膜电阻厚膜电阻
    元件生命周期-ActiveActiveActive
    阻值-10Ω10Ω10Ω
    脚间距--1.6mm-
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