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EEEHD1A101AP 与
MBR0520LT1G、MBR0530T1G、B0520LW-7-F 的区别
制造商：Panasonic 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.22343 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.28840 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.16500 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 特性 | - | - | - | - |
| 等级 | AEC-Q200 | - | - | - |
| 纹波电流 | 62mA | - | - | - |
| 包装 | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel |
| 脚间距 | 2.20mm | - | - | 3.37mm |
| 容值 | 100μF | - | - | - |
| 精度 | ±20% | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | Ф8.00 x 6.20mm | 2.69 x 1.60mm | 2.84 x 1.80mm | 2.85 x 1.70mm |
| 额定电压 | 10V | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | -65℃~+125℃(TJ) | -65℃~+125℃ | -65℃~+125℃(TJ) |
| 封装/外壳 | SMD,D8xL6.2mm | SOD-123 | SOD-123 | SOD-123 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 等效串联电阻 | 2Ω | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | Active | - | Active |
| 原始制造商 | Panasonic Corporation | ON Semiconductor Inc. | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 原产国家 | Japan | America | America | America |
| 系列 | HD | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 最小包装 | 1000pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 认证信息 | RoHS | - | - | RoHS, AEC-Q101 |
| 引脚数 | 2Pin | 2Pin | 2Pin | 2Pin |
| 存储温度 | +5~+35℃ | -65~+150℃ | -65~+150℃ | -65~+125℃ |
| 不同温度时的使用寿命 | 5000Hrs@105℃ | - | - | - |
| 耗散因数 | 0.30 | - | - | - |
| 漏泄电流 | 10µA | - | - | - |
| 高度 | 6.20mm | 1.35mm | 1.35mm | 1.35mm |
| 品牌 | Panasonic | Onsemi | Onsemi | DIODES |
| 卷盘尺寸 | Φ380mm | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 反向漏电流IR | - | 250µA | 130µA | 8mA |
| 反向峰值电压（最大值） | - | 20V | 30V | 20V |
| 工作温度-结 | - | -65°C~125°C | -65°C~125°C | -65°C~125°C |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 反向耐压VR | - | 20V | 30V | 20V |
| 二极管配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 反向恢复时间(trr) | - | - | - | - |
| 平均整流电流 | - | 500mA | 500mA | 500mA |
| 二极管类型 | - | 肖特基 | 肖特基 | 肖特基 |
| 正向压降VF | - | 385mV | 430mV | 385mV |
| 速度 | - | 快速恢复=<500ns，>200mA（Io） | 快速恢复=<500ns，>200mA（Io） | 快速恢复=<500ns，>200mA（Io） |
| Ifsm - 正向浪涌峰值电流 | - | 5.5A | 5.5A | 5.5A |
| 制造商标准提前期 | - | 22 周 | 20 周 | - |
| 正向压降VF Min | - | 220mV | - | - |
| 应用 | - | 通用 | 通用 | 通用 |
| 正向压降VF Max | - | 385mV | 430mV | 385mV |
| 功率耗散（最大值） | - | - | - | 410mW |
| 反向击穿电压 | - | - | - | 20V |
| 总电容C | - | - | - | 170pF |
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