尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    BSS138LT1GBSS138-TP、BSS138Q-7-F、BSS138-7-F 的区别

    BSS138LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09328

    查看详情 查看数据资料

    BSS138-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.11001

    查看详情 查看数据资料

    BSS138Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.38157

    查看详情 查看数据资料

    BSS138-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.08286

    查看详情
    ECCN编码
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    配置单路单路--
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    FET类型N沟道---
    供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)---
    阈值电压1.5V@1mA1.5V@1mA1.5V@250µA1.5V
    连续漏极电流200mA220mA200mA200mA
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    栅源电压 Vgss±20V---
    包装Tape/reelTape/reel带卷(TR) Tape/reel
    漏源电压(Vdss)50V50V50V50V
    技术MOSFET(金属氧化物)---
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesNo
    品牌ONMCC-DIODES
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    漏源极电压(Vdss)50V---
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Micro Commercial Components--
    不同Id时的Vgs(th)1.5V@1mA---
    原产国家AmericaAmerica--
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)5V--10V
    击穿电压50V---
    印字代码J1 M= =---
    不同Vds时的输入电容(Ciss)50pF@25V---
    栅极源极击穿电压±20V±20V-±20V
    认证信息RoHS---
    反向传输电容Crss3.5pF15pF--
    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)3.5欧姆@200mA,5V---
    功率耗散225mW350mW300mW300mW
    脚间距1.9mm--1.92mm
    功率耗散(最大值)225mW(Ta)---
    输入电容40pF60pF50pF50pF
    额定功率225mW350mW300mW300mW
    制造商标准提前期36 周-12 周12 周
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@5V,200mA3.5Ω@10V,220mA3.5Ω@10V,220mA3.5Ω@10V,220mA
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)1(无限)
    长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    高度1.00mm1.10mm1.025mm1.05mm
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    最小包装3000pcs3000pcs-3000pcs
    Vgs(Max)-±20V-±20V
    元件生命周期-Active--
    FET功能----
    栅极电荷(Qg)----
    系列----
    技术路线--MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    漏极电流---200mA
    充电电量----
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照