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SI4848DY-T1-E3 与
STS5N15F4、SI4488DY-T1-E3 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥2.95792 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.47828 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥2.48600 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 阈值电压 | 2V@250µA（最小） | 4V@250µA | 2V@250µA（最小） | |
| 连续漏极电流 | 2.7A | 5A | 3.5A | |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | |
| 包装 | Tape/reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | 150V | 150V | |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SOT96-1 | SOT96-1 | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| Vgs(Max) | ±20V | - | ±20V | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 配置 | 单路 | - | - | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 6V，10V | - | 10V | |
| 充电电量 | 21nC | - | - | |
| 功率耗散 | 3W | 2.5W | 1.56W | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 最小包装 | 3000pcs | - | - | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | - | - | |
| 制造商标准提前期 | 19 周 | 7 周 | 15 周 | |
| 原产国家 | America | - | - | |
| 系列 | TrenchFET® | DeepGATE™,STripFET™ | TrenchFET® | |
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | - | - | |
| 高度 | 1.75mm | - | - | |
| 引脚数 | 8Pin | - | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | |
| 元件生命周期 | Active | - | - | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,3.5A | 63mΩ@2.5A,10V | 50mΩ@10V,5A | |
| 脚间距 | 1.27mm | - | - | |
| 品牌 | Vishay | - | - | |
| 额定功率 | 1.5W | 2.5W | 1.56W | |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | |
| 输入电容 | - | 2.71nF@25V | - | |
| 击穿电压 | 150V | - | - | |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 36nC | |
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