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AC0603FR-078K2L 与
DMP3098LSS-13、ZXMP3A16N8TA、AO4411 的区别
制造商：Yageo 最优价格：￥0.00637 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.53000 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥3.33108 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.79420 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 功率 | 100mW | - | - | - |
| 包装 | Tape/Reel | Tape/reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 特性 | - | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| 封装/外壳 | 0603 | SOIC8_150MIL_EP | SOT96-1 | SOIC-8 |
| 精度 | ±1% | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 1.60 x 0.80mm | 4.95 x 3.90mm | - | 4.90 x 3.90mm |
| 温度系数 | ±100ppm/℃ | - | - | - |
| 技术/工艺 | 厚膜 | - | - | - |
| 引脚数 | 2Pin | 8Pin | - | 8Pin |
| 存储温度 | -55℃~+155℃ | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ |
| 最小包装 | 5000pcs | 2500pcs | - | 3000pcs |
| 高度 | 0.45mm | 1.75mm | - | 1.75mm |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 元件生命周期 | Active | Active | - | Active |
| 原始制造商 | Yageo Corporation | Diodes Incorporated | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 原产国家 | China Taiwan | America | - | America |
| 认证信息 | RoHS, HF(halogen free), AEC-Q200 | - | - | - |
| 应用 | Automotive Electronics, Consumer, Industrial | - | - | - |
| 电阻类型 | 厚膜电阻 | - | - | - |
| 卷盘尺寸 | Φ180mm | - | - | - |
| 系列 | AC | - | - | - |
| 等级 | AEC-Q200 | - | - | - |
| 品牌 | Yageo | DIODES | - | AOS |
| 额定电压 | 75V | - | - | - |
| 阻值 | 8.2KΩ | - | - | - |
| 配置 | - | 单路 | - | - |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 30V |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 漏极电流 | - | 5.3A | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 阈值电压 | - | -2.1V | 1V@250µA | 2.4V@250µA |
| 栅极电荷(Qg) | - | 4.0nC | 29.6nC | - |
| 连续漏极电流 | - | 5.3A | 5.6A | 8A |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 制造商标准提前期 | - | 16 周 | 12 周 | 16 周 |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 无卤 | - | Yes | - | - |
| 充电电量 | - | 4nC | - | - |
| 额定功率 | - | 2.5W | 1.9W | 3.1W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 65mΩ@10V,5.3A | 40mΩ | 32mΩ@10V,8A |
| 输入电容 | - | 336pF | 1.022nF | 760pF@15V |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | - | ±20V |
| 击穿电压 | - | -30V | - | 30V |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 反向传输电容Crss | - | 49pF | - | - |
| 功率耗散 | - | 2.5W | 1.9W | 3.1W |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
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