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    WST05N10EEEFK1H102AM、EEV-FK1H102M 的区别

    WST05N10

    制造商:WINSOK

    最优价格:¥0.31000

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    EEEFK1H102AM

    制造商:Panasonic

    最优价格:

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    EEV-FK1H102M

    制造商:Panasonic

    最优价格:¥2.29999

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    ECCN编码
    连续漏极电流2.8A--
    阈值电压1.5V@250µA--
    漏源电压(Vdss)100V--
    包装Tape/reelTape/ReelTape/Reel
    封装/外壳SOT-23SMD,D16xL16.5mmSMD,D16xL16.5mm
    晶体管类型N沟道--
    Vgs(Max)±20V--
    漏极电流2.8A--
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+105℃-55℃~+105℃
    安装类型SMTSMTSMT
    配置单路--
    功率耗散1W--
    输入电容690pF--
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+105℃-55℃~+105℃
    最小包装3000pcs125pcs5000pcs
    原始制造商Winsok power Semiconductor CO., LTDPanasonic CorporationPanasonic Corporation
    原产国家ChinaJapanJapan
    长x宽/尺寸2.92 x 1.60mmФ16.00 x 16.50mmФ16.00 x 16.50mm
    品牌WinsokPanasonicPanasonic
    高度1.25mm16.50mm16.50mm
    极性N-沟道--
    引脚数3Pin2Pin2Pin
    额定功率1W--
    击穿电压100V--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)145mΩ@10V,1A--
    栅极源极击穿电压±20V--
    类型1个N沟道--
    反向传输电容Crss90pF--
    充电电量15nC--
    额定电压-50V50V
    容值-1mF1mF
    精度-±20%±20%
    等效串联电阻-73mΩ73mΩ
    特性---
    等级-AEC-Q200AEC-Q200
    纹波电流-1.61A1.61A
    脚间距-12.20mm-
    漏泄电流-500µA-
    耗散因数-0.120.10
    卷盘尺寸-Φ330mmΦ380mm
    是否无铅-YesYes
    元件生命周期-ActiveActive
    系列-FKFK
    零件状态-ActiveActive
    认证信息-RoHS-
    不同温度时的使用寿命-5000Hrs@105℃5000Hrs@105℃
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)
    阻抗--73mΩ
    极化--极化
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