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SI2309CDS-T1-GE3 与
SI2337DS-T1-E3、ZXMP6A13FTA 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥0.43269 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥1.44200 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥2.37300 查看详情 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | |
| 漏极电流 | 1.6A | - | 900mA | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 80V | 60V | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | |
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | |
| 连续漏极电流 | 1.6A | 2.2A | 1.1A | |
| 阈值电压 | 3V@250µA | 4V@250µA | -3V | |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 配置 | 单路 | 单路 | 单路 | |
| 击穿电压 | 60V | 80V | -60V | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | ±20V | |
| 反向传输电容Crss | 50pF | - | 20.5pF | |
| 充电电量 | 2.7nC | - | 2.9nC | |
| 功率耗散 | 1.7W | 760mW | 625W | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | Vishay Intertechnology, Inc. | DIODES Electronics Co. Ltd | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 原产国家 | America | America | China | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | |
| 制造商标准提前期 | 16 周 | 15 周 | 12 周 | |
| 长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | 2.95 x 1.30mm | 2.92 x 1.30mm | |
| 系列 | TrenchFET® | TrenchFET® | - | |
| 高度 | 1.00mm | 1.00mm | 1.20mm | |
| 品牌 | Vishay | Vishay | DIODES | |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 6V，10V | 4.5V，10V | |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | |
| 脚间距 | 1.9mm | 1.9mm | 1.9mm | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 345mΩ@10V,1.25A | 270mΩ@10V,1.2A | 400mΩ@10V,900mA | |
| 输入电容 | 210pF@30V | 500pF | 219pF | |
| 额定功率 | 1W,1.7W | 760mW | 625mW | |
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | |
| 认证信息 | - | RoHS | - | |
| 无卤 | - | Yes | Yes | |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 5.9nC | |
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