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AO4421 与
AO4441、AP9575GM、SI9407BDY-T1-GE3 的区别
制造商：AOS 最优价格：￥1.45000 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥1.32820 查看详情 查看数据资料 | 制造商：APEC 最优价格：￥1.03375 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥1.15000 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | - | P沟道 |
| 连续漏极电流 | 6.2A | 4A | - | 4.7A |
| 阈值电压 | 3V@250µA | 3V@250µA | - | 3V@250µA |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 60V | - | 60V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ |
| 漏极电流 | 6.2A | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8_4.9X3.9MM | SO-8_5.05X3.9MM | SOIC-8 |
| 配置 | 单路 | - | - | 单路 |
| 包装 | Tape/reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | - | Tape/reel |
| 反向传输电容Crss | 120pF | - | - | 50pF |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 充电电量 | 55nC | - | - | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 4.5V，10V | - | 4.5V，10V |
| 功率耗散 | 3.1W | 3.1W | - | 2.4W |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | -55℃~+150℃ |
| 最小包装 | 3000pcs | - | - | 2500pcs |
| 原始制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | - | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 原产国家 | America | - | - | America |
| 输入电容 | 2.9nF@30V | 1.12nF@30V | - | 600pF@30V |
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 5.05 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm |
| 高度 | 1.65mm | 1.50mm | 1.40mm | 1.55mm |
| 引脚数 | 8Pin | 8Pin | 8Pin | 8Pin |
| 是否无铅 | Yes | Yes | - | Yes |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,6.2A | 100mΩ@10V,4A | - | 120mΩ@10V,3.2A |
| 元件生命周期 | Active | - | - | Active |
| 品牌 | AOS | - | - | Vishay |
| 额定功率 | 3.1W | 3.1W | - | 2.4W,5W |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | - | 1（无限） |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | - | P-沟道 |
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | - | 1个P沟道 |
| 系列 | - | - | - | TrenchFET® |
| 制造商标准提前期 | 16 周 | 16 周 | - | 15 周 |
| 击穿电压 | 60V | - | - | 60V |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | ±20V |
| 零件状态 | Active | Active | - | Active |
| 脚间距 | - | - | - | 1.27mm |
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