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AOD444 与
STD12NF06LT4、DMN6068LK3-13 的区别
制造商：AOS 最优价格：￥1.06670 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥2.15876 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥1.93011 查看详情 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | |
| 配置 | 单路 | - | 单路 | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | |
| 连续漏极电流 | 12A | 12A | 8.5A | |
| 阈值电压 | 2.4V | 2V | 3V | |
| Vgs(Max) | ±20V | ±16V | ±20V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 60V | 60V | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 漏极电流 | 12A | 12A | 6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃(TJ) | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,12A | 100mΩ@10V,6A | 68mΩ@10V,12A | |
| 是否无铅 | Yes | No | Yes | |
| 品牌 | AOS | ST | DIODES | |
| 额定功率 | 2.1W,20W | 42.8W | 2.12W | |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | |
| 制造商标准提前期 | 16 周 | 26 周 | 10 周 | |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | |
| 系列 | - | STripFET™II | - | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±16V | ±20V | |
| 击穿电压 | 60V | - | - | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 反向传输电容Crss | 27pF | - | 27.1pF | |
| 功率耗散 | 20W | 42.8W | 2.12W | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 充电电量 | 7.5nC | 10nC | 10.3nC | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 5V，10V | 4.5V，10V | |
| 长x宽/尺寸 | 6.60 x 6.10mm | 6.60 x 6.20mm | 6.58 x 6.10mm | |
| 高度 | 2.29mm | 2.40mm | - | |
| 输入电容 | 540pF@30V | 350pF | 502pF | |
| 最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs | |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | |
| 原始制造商 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd | STMicroelectronics | Diodes Incorporated | |
| 原产国家 | America | Switzerland | America | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | - | |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 10.3nC | |
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