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    AOD444DMN6068LK3-13、NTD3055L104T4G、NTD3055-094T4G 的区别

    AOD444

    制造商:AOS

    最优价格:¥1.06670

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    DMN6068LK3-13

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.93011

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    NTD3055L104T4G

    制造商:ON

    最优价格:¥2.28480

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    NTD3055-094T4G

    制造商:ON

    最优价格:¥8.62500

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    漏极电流12A6A12A-
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+175℃-55℃~+175℃
    封装/外壳TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)
    配置单路单路单路单路
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    连续漏极电流12A8.5A12A12A
    阈值电压2.4V3V2V@250µA4V@250µA
    Vgs(Max)±20V±20V±15V±20V
    漏源电压(Vdss)60V60V60V60V
    FET功能----
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
    引脚数3Pin-2Pin2Pin
    是否无铅YesYesYesYes
    品牌AOSDIODESONON
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ@10V,12A68mΩ@10V,12A104mΩ@5V,6A94mΩ@6A,10V
    额定功率2.1W,20W2.12W1.5W,48W1.5W,48W
    制造商标准提前期16 周10 周4 周16 周
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    系列----
    栅极源极击穿电压±20V±20V±15V±20V
    击穿电压60V-60V60V
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    反向传输电容Crss27pF27.1pF35pF34pF
    功率耗散20W2.12W48W48W
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    充电电量7.5nC10.3nC7.4nC10.9nC
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+175℃-55℃~+175℃
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V4.5V,10V5V10V
    长x宽/尺寸6.60 x 6.10mm6.58 x 6.10mm6.73 x 6.22mm6.73 x 6.22mm
    高度2.29mm-2.38mm2.38mm
    输入电容540pF@30V502pF440pF@25V450pF@25V
    最小包装2500pcs2500pcs2500pcs2500pcs
    元件生命周期ActiveActive--
    原始制造商Alpha & Omega Semiconductor, LtdDiodes IncorporatedON SemiconductorON Semiconductor
    栅极电荷(Qg)-10.3nC--
    印字代码--AYWW 55L 104GAYWW 55 094G
    认证信息--RoHSRoHS
    脚间距--4.57mm-
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