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    NDS351ANFRC1210J684 TS、WR10X684 JTL、RC1210JR-07680KL 的区别

    NDS351AN

    制造商:ON

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    FRC1210J684 TS

    制造商:FOJAN

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    WR10X684 JTL

    制造商:Walsin

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    RC1210JR-07680KL

    制造商:Yageo

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    ECCN编码
    连续漏极电流1.4A---
    晶体管类型N沟道---
    封装/外壳SOT23-3121012101210
    漏源电压(Vdss)30V---
    漏极电流1.4A---
    FET功能----
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    阈值电压0.8V---
    包装Tape/reelTape/Reel--
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+155℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃
    充电电量1.3nC---
    反向传输电容Crss15pF---
    栅极源极击穿电压±20V---
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    击穿电压30V---
    最小包装3000pcs5000pcs--
    制造商标准提前期16 周---
    印字代码351A---
    系列PowerTrench®FRCWR10-
    认证信息RoHS---
    零件状态Stop Production---
    长x宽/尺寸2.90 x 1.40mm3.10 x 2.60mm3.10 x 2.60mm3.10 x 2.60mm
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    高度1.12mm0.55mm0.55mm0.60mm
    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)160毫欧@1.4A,10V---
    品牌ONFOJANWalsin-
    极性N-沟道---
    输入电容145pF@15V---
    额定功率500mW---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,1.4A---
    是否无铅Yes-Yes-
    引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
    类型1个N沟道---
    原始制造商ON Semiconductor Inc.FOJAN ResistorWalsin Technology Corporation-
    存储温度-55℃~+150℃---
    原产国家AmericaChinaChina Taiwan-
    功率耗散500mW---
    温度系数-±100ppm/℃±100ppm/℃±100ppm/℃
    精度-±5%±5%±5%
    功率-1/3W1/3W500mW
    技术/工艺-厚膜厚膜-
    元件生命周期-Active--
    电阻类型-厚膜电阻-厚膜电阻
    额定电压-200V400V-
    阻值-680KΩ680KΩ680KΩ
    特性---防潮
    等级--通用-
    应用--Consumer, Industrial-
    故障率----
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