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    NDS351ANWR10X684 JTL、RC1210JR-07680KL、FRC1210J684 TS 的区别

    NDS351AN

    制造商:ON

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    WR10X684 JTL

    制造商:Walsin

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    RC1210JR-07680KL

    制造商:Yageo

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    FRC1210J684 TS

    制造商:FOJAN

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT23-3121012101210
    漏源电压(Vdss)30V---
    FET功能----
    漏极电流1.4A---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    阈值电压0.8V---
    包装Tape/reel--Tape/Reel
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+155℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃
    连续漏极电流1.4A---
    晶体管类型N沟道---
    击穿电压30V---
    制造商标准提前期16 周---
    最小包装3000pcs--5000pcs
    系列PowerTrench®WR10-FRC
    印字代码351A---
    零件状态Stop Production---
    认证信息RoHS---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    长x宽/尺寸2.90 x 1.40mm3.10 x 2.60mm3.10 x 2.60mm3.10 x 2.60mm
    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)160毫欧@1.4A,10V---
    高度1.12mm0.55mm0.60mm0.55mm
    品牌ONWalsin-FOJAN
    输入电容145pF@15V---
    极性N-沟道---
    额定功率500mW---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,1.4A---
    是否无铅YesYes--
    引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
    类型1个N沟道---
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Walsin Technology Corporation-FOJAN Resistor
    存储温度-55℃~+150℃---
    原产国家AmericaChina Taiwan-China
    功率耗散500mW---
    充电电量1.3nC---
    反向传输电容Crss15pF---
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    栅极源极击穿电压±20V---
    技术/工艺-厚膜-厚膜
    精度-±5%±5%±5%
    功率-1/3W500mW1/3W
    温度系数-±100ppm/℃±100ppm/℃±100ppm/℃
    特性--防潮-
    额定电压-400V-200V
    等级-通用--
    应用-Consumer, Industrial--
    阻值-680KΩ680KΩ680KΩ
    电阻类型--厚膜电阻厚膜电阻
    故障率----
    元件生命周期---Active
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