购物车
上传BOM
IRFR024NTRPBF 与
2PC4617RM,315、BC847,215、BC847,235 的区别
制造商：Infineon 最优价格：￥0.77399 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Nexperia 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Nexperia 最优价格：￥0.06507 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Nexperia 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 漏极电流 | 17A | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -65℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | +150℃ |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | ±20V | - | - | - |
| 阈值电压 | 4V@250µA | - | - | - |
| 封装/外壳 | TO-252AA | SOT883 | SOT-23 | SOT-23 |
| 配置 | 单路 | 单路 | 单路 | 单路 |
| 连续漏极电流 | 17A | - | - | - |
| 晶体管类型 | N沟道 | NPN | NPN | NPN |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | - | - | - |
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 最小包装 | 2000pcs | 10000pcs | 3000pcs | 10000pcs |
| 类型 | 1个N沟道 | - | - | - |
| 原产国家 | Germany | Holland | China | America |
| 额定功率 | 45W | - | - | - |
| 认证信息 | RoHS | RoHS, AEC-Q101 | - | - |
| 输入电容 | 370pF@25V | - | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@10V,10A | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | Active | - | - |
| 品牌 | Infineon | Nexperia | Nexperia | Nexperia |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | - | - | - |
| 极性 | N-沟道 | NPN | NPN | NPN |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| 击穿电压 | 55V | - | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 反向传输电容Crss | 65pF | - | - | - |
| 功率耗散 | 45W | 430mW | 250mW | 250mW |
| 系列 | HEXFET® | 2PC4617M | - | Automotive,AEC-Q101 |
| 充电电量 | 20nC | - | - | - |
| 制造商标准提前期 | 12 周 | - | 8 周 | 8 周 |
| 存储温度 | -55℃~+175℃ | -65℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | -65℃~+150℃ |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 长x宽/尺寸 | 6.73 x 6.22mm | 1.02 x 0.62mm | 3.00 x 1.40mm | 3.00 x 1.40mm |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 高度 | 2.39mm | 0.50mm | 1.10mm | 1.00mm |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | - | 50V | 45V | 45V |
| DC电流增益(hFE) | - | 390 | 110~800 | 110~800 |
| 跃迁频率 | - | 100MHz | 100MHz | 100MHz |
| Vce饱和压降 | - | 200mV | 400mV | 200mV |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | - | 50V | 45V | 45V |
| 应用等级 | - | AEC-Q101 | - | - |
| 应用 | - | Industrial, Automotive Electronics | - | - |
| 印字代码 | - | D8 | 1H% | 1H% |
| 集电极-基极电压（VCBO） | - | 50V | 50V | 50V |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | 5V | 6V | 6V |
| 集电极截止电流 (Icbo) | - | 100nA | 15nA（ICBO） | 15nA（ICBO） |
| 集电极电流 Ic | - | 100mA | 100mA | 100mA |
| 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO | - | - | 45V | - |
| 加入购物车 | 加入购物车 | 询价 | 加入购物车 | 询价 |
同类型型号推荐
加入购物车成功！
工商网监