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IRFR024NTRPBF 与
AUIRFR024NTRL 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | ||
| 漏极电流 | 17A | - | ||
| FET功能 | - | - | ||
| Vgs(Max) | ±20V | - | ||
| 阈值电压 | 4V@250µA | 4V | ||
| 封装/外壳 | TO-252AA | TO-252(DPAK) | ||
| 配置 | 单路 | - | ||
| 连续漏极电流 | 17A | 17A | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | ||
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | ||
| 漏源电压(Vdss) | 55V | 55V | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 最小包装 | 2000pcs | - | ||
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | ||
| 原产国家 | Germany | - | ||
| 额定功率 | 45W | 45W | ||
| 认证信息 | RoHS | - | ||
| 输入电容 | 370pF@25V | 370pF | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@10V,10A | 75mΩ@10V,10A | ||
| 元件生命周期 | Active | - | ||
| 品牌 | Infineon | Infineon | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | - | ||
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | ||
| 击穿电压 | 55V | - | ||
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | ||
| 零件状态 | Active | Active | ||
| 反向传输电容Crss | 65pF | - | ||
| 功率耗散 | 45W | 45W | ||
| 系列 | HEXFET® | HEXFET® | ||
| 充电电量 | 20nC | - | ||
| 制造商标准提前期 | 12 周 | - | ||
| 存储温度 | -55℃~+175℃ | - | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | ||
| 长x宽/尺寸 | 6.73 x 6.22mm | 6.60 x 6.12mm | ||
| 是否无铅 | Yes | - | ||
| 高度 | 2.39mm | 2.29mm | ||
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | Infineon Technologies AG | ||
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | ||
| 栅极电荷(Qg) | - | 20nC | ||
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