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ABS06-107-32.768KHZ-T 与
DMP1045U-7、DMP3130L-7、DMP3099L-7 的区别
制造商：Abracon 最优价格：￥2.20800 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.28500 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.37968 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.17500 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 频率误差 | ±20ppm | - | - | - |
| 主频频率 | 32.768KHz | - | - | - |
| 类型 | kHz 晶体（音叉） | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 年老化率 | ±3ppm/year | - | - | - |
| 引脚数 | 2Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 长x宽/尺寸 | 2.00 x 1.20mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
| 封装/外壳 | SMD2012_2P | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ |
| 切型 | +5° X | - | - | - |
| 高度 | 0.60mm | 1.00mm | 1.03mm | 1.00mm |
| 等效串联电阻 | 60KΩ | - | - | - |
| 认证信息 | RoHS | - | - | - |
| 原产国家 | America | America | America | America |
| 系列 | ABS06 | - | - | - |
| 原始制造商 | Abracon Corporation | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 存储温度 | -55℃~+125℃ | - | - | - |
| 产品状态 | Active | - | - | - |
| 绝缘电阻 | 500MΩ @ DC100V | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | Active |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 材质 | Quartz Crystal | - | - | - |
| 频率稳定性 | ±250ppm | - | - | - |
| 载带标准 | 8.0mm | - | - | - |
| 封装技术 | Seam Sealing | - | - | - |
| 输出波形 | Sine Wave | - | - | - |
| 激励功率 | 100nW | - | - | - |
| 静电容 | 1.5pF | - | - | - |
| 负载电容 | 4pF | - | - | - |
| 谐振模式 | Tuning Fork | - | - | - |
| 包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 漏极电流 | - | 4A | 3.5A | 3.8A |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±8V | ±12V | ±20V |
| 阈值电压 | - | 1V | 1.3V | 2.1V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 12V | 30V | 30V |
| 栅极电荷(Qg) | - | 15.8nC | 24nC | 5.2nC |
| 连续漏极电流 | - | 4A | 3A | 3.8A |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 制造商标准提前期 | - | 8 周 | 8 周 | 8 周 |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 充电电量 | - | 15.8nC | 24nC | 5.2nC |
| 品牌 | - | DIODES | DIODES | DIODES |
| 功率耗散 | - | 800mW | 700mW | 1.08W |
| 输入电容 | - | 1.357nF | 864pF | 563pF |
| 额定功率 | - | 800mW | 700mW | 1.08W |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±8V | ±12V | ±20V |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 31mΩ@4.5V,4A | 77mΩ@10V,4.2A | 65mΩ@10V,3.8A |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 反向传输电容Crss | - | 235pF | 62pF | 41pF |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | - | 2.5V，10V | 4.5V，10V |
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