制造商:Abracon 最优价格:¥2.49600 查看详情 查看数据资料 | 制造商:ON 最优价格:¥0.30317 查看详情 | 制造商:DIODES 最优价格:¥0.28500 查看详情 | 制造商:DIODES 最优价格:¥0.37968 查看详情 查看数据资料 | |
ECCN编码 | ||||
引脚数 | 2Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
长x宽/尺寸 | 2.00 x 1.20mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
封装/外壳 | SMD2012_2P | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) |
频率误差 | ±20ppm | - | - | - |
主频频率 | 32.768KHz | - | - | - |
类型 | kHz 晶体(音叉) | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
年老化率 | ±3ppm/year | - | - | - |
产品状态 | Active | - | - | - |
绝缘电阻 | 500MΩ @ DC100V | - | - | - |
元件生命周期 | Active | Active | Active | Active |
是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
材质 | Quartz Crystal | - | - | - |
频率稳定性 | ±250ppm | - | - | - |
载带标准 | 8.0mm | - | - | - |
封装技术 | Seam Sealing | - | - | - |
输出波形 | Sine Wave | - | - | - |
激励功率 | 100nW | - | - | - |
静电容 | 1.5pF | - | - | - |
负载电容 | 4pF | - | - | - |
谐振模式 | Tuning Fork | - | - | - |
切型 | +5° X | - | - | - |
高度 | 0.60mm | 1.00mm | 1.00mm | 1.03mm |
等效串联电阻 | 60KΩ | - | - | - |
认证信息 | RoHS | RoHS | - | - |
原产国家 | America | America | America | America |
系列 | ABS06 | - | - | - |
原始制造商 | Abracon Corporation | ON Semiconductor Inc. | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
存储温度 | -55℃~+125℃ | -55℃~+150℃ | - | - |
阈值电压 | - | 3V@250µA | 1V | 1.3V |
连续漏极电流 | - | 1.13A | 4A | 3A |
晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
漏源电压(Vdss) | - | 30V | 12V | 30V |
漏极电流 | - | 1.13A | 4A | 3.5A |
FET功能 | - | - | - | - |
配置 | - | 单路 | - | - |
击穿电压 | - | 30V | - | - |
栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±8V | ±12V |
技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
反向传输电容Crss | - | 50pF | 235pF | 62pF |
充电电量 | - | 6nC | 15.8nC | 24nC |
零件状态 | - | Active | Active | Active |
功率耗散 | - | 400mW | 800mW | 700mW |
制造商标准提前期 | - | 20 周 | 8 周 | 8 周 |
湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
印字代码 | - | TR2 M= = | - | - |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | - | 200毫欧@1.95A,10V | 31毫欧@4A,4.5V | - |
品牌 | - | ON | DIODES | DIODES |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 200mΩ@10V,1.95A | 31mΩ@4.5V,4A | 77mΩ@10V,4.2A |
输入电容 | - | 200pF@15V | 1.357nF | 864pF |
极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
额定功率 | - | 400mW | 800mW | 700mW |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V | - | 2.5V,10V |
栅极电荷(Qg) | - | - | 15.8nC | 24nC |
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