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    C0603C104K3RACTUZXMN6A07ZTA、RHP020N06T100 的区别

    C0603C104K3RACTU

    制造商:KEMET

    最优价格:¥0.34982

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    ZXMN6A07ZTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.73792

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    RHP020N06T100

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.70060

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    ECCN编码
    等级通用级--
    安装类型SMTSMTSMT
    封装/外壳0603SOT89-3SOT89-3
    长x宽/尺寸1.60 x 0.80mm4.60 x 2.60mm4.50 x 2.50mm
    应用领域Bypass, Decoupling--
    特性---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reel
    容值100nF--
    精度±10%--
    额定电压25V--
    工作温度-55℃~+125℃-+150℃
    脚间距1.25mm--
    温度系数TfX7R--
    原始制造商Kemet CorporationDiodes IncorporatedRohm Co.,Ltd.
    系列SMD Comm X7R--
    品牌KemetDIODESRohm
    零件状态ActiveActiveActive
    电介质X7R--
    引脚数2Pin3Pin-
    是否无铅YesYesYes
    最小包装4000pcs1000pcs1000pcs
    原产国家AmericaAmericaJapan
    高度0.80mm1.60mm1.50mm
    晶体管类型-N沟道N沟道
    FET功能---
    配置-单路单路
    Vgs(Max)-±20V±20V
    连续漏极电流-2.5A2A
    漏源电压(Vdss)-60V60V
    阈值电压-3V@250µA2.5V
    制造商标准提前期-10 周10 周
    输入电容-166pF140pF
    击穿电压-60V-
    栅极源极击穿电压-±20V±20V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    类型-1个N沟道1个N沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-250mΩ@10V,1.8A200mΩ@10V,2A
    额定功率-1.5W500mW
    极性-N-沟道N-沟道
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4V,10V
    元件生命周期-Active-
    功率耗散-1.5W500mW
    充电电量--14nC
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