购物车
上传BOM
XC9119D10AMR-G 与
SI4488DY-T1-E3、STS5N15F4 的区别
制造商：Torex 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥2.48600 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.47828 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 同步整流 | 否 | - | - | |
| 输出电压 | 2.5V~19.5V | - | - | |
| 封装/外壳 | SOT25 | SOT96-1 | SOT96-1 | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 引脚数 | 5Pin | - | - | |
| 输出电流 | 750mA | - | - | |
| 开关频率 | 1MHz | - | - | |
| 输出配置 | Positive | - | - | |
| 拓扑结构 | 升压 | - | - | |
| 输出类型 | 可调 | - | - | |
| 输入电压（最小值） | 2.5V | - | - | |
| 工作电压 | 2.5V~6V | - | - | |
| 输入电压（最大值） | 6V | - | - | |
| 功能 | 升压 | - | - | |
| 内置开关管 | 内置 | - | - | |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.60mm | - | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 高度 | 1.30mm | - | - | |
| 品牌 | Torex | - | - | |
| 存储温度 | -55~+125℃ | - | - | |
| 最小包装 | 3000pcs | - | - | |
| 元件生命周期 | Active | - | - | |
| 原始制造商 | Torex Semiconductor Ltd. | - | - | |
| 原产国家 | Japan | - | - | |
| 认证信息 | RoHS,HF(Halogen Free) | - | - | |
| 系列 | - | TrenchFET® | DeepGATE™,STripFET™ | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 输出通道数 | 1 | - | - | |
| 输入电压 | 2.5V~6V | - | - | |
| 阈值电压 | - | 2V@250µA（最小） | 4V@250µA | |
| 包装 | - | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| Vgs(Max) | - | ±20V | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | 150V | 150V | |
| 连续漏极电流 | - | 3.5A | 5A | |
| 栅极电荷(Qg) | - | 36nC | - | |
| 零件状态 | - | Active | Active | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | - | |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | |
| 额定功率 | - | 1.56W | 2.5W | |
| 输入电容 | - | - | 2.71nF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 50mΩ@10V,5A | 63mΩ@2.5A,10V | |
| 制造商标准提前期 | - | 15 周 | 7 周 | |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | |
| 功率耗散 | - | 1.56W | 2.5W | |
| 加入购物车 | 询价 | 加入购物车 | 加入购物车 |
同类型型号推荐
加入购物车成功！
工商网监