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    LM211DRLM211DT、V62/03638-02XE、LM211DRG4 的区别

    LM211DR

    制造商:TI

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    LM211DT

    制造商:ST

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    V62/03638-02XE

    制造商:TI

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    LM211DRG4

    制造商:TI

    最优价格:

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    ECCN编码
    输出电流50mA50mA-50mA
    输入偏置电流100nA100nA-100nA
    安装类型SMTSMT-SMT
    封装/外壳SOIC-8SOIC-8-SOIC-8
    工作温度-40℃~+85℃-40℃~+105℃--40℃~+85℃
    静态电流(Max)6mA6mA-6mA
    输入失调电压(Vos)3mV3mV-3mV
    电源电压,单/双(±)3.5V~30V,±1.75V~15V5V~30V,±2.5V~15V-3.5V~30V,±1.75V~15V
    输出类型DTL,MOS,Open-Collector,Open-Emitter,RTL,TTLDTL,MOS,Open-Collector,Open-Emitter,RTL,TTL-DTL,MOS,Open-Collector,Open-Emitter,RTL,TTL
    包装Tape/ReelTape/Reel-Tape/Reel
    长x宽/尺寸4.90 x 3.90mm4.90 x 3.90mm-5.00 x 3.98mm
    原产国家AmericaSwitzerland--
    高度1.75mm1.75mm-1.75mm
    电源电压3.5V~30V;1.75V~15V5V~30V;2.5V~15V-3.5V~30V;1.75V~15V
    引脚数8Pin8Pin-8Pin
    品牌TIST-TI
    最小包装2500pcs2500pcs--
    原始制造商Texas Instruments IncorporatedSTMicroelectronics-Texas Instruments Incorporated
    通道数-单通道-单通道
    传播延迟时间----
    放大器类型通用通用-通用
    认证信息RoHS---
    存储温度-65~+150℃-65~+150℃--
    元件生命周期ActiveActive--
    供电电流-6mA-6mA
    响应时间-200ns--
    脚间距---1.27mm
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