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    PDTC114ET,2150201B103K100NT、0201B103K100CT、GRM033R71A103KA01D 的区别

    PDTC114ET,215

    制造商:Nexperia

    最优价格:¥0.37856

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    0201B103K100NT

    制造商:FH

    最优价格:¥0.00239

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    0201B103K100CT

    制造商:Walsin

    最优价格:¥0.00329

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    GRM033R71A103KA01D

    制造商:Murata

    最优价格:¥0.00471

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23020102010201
    基极电阻(R1)10KΩ---
    基射极电阻(R2)10KΩ---
    集射极击穿电压Vce(Max)50V---
    晶体管类型NPN---
    DC电流增益(hFE)30@5mA, 5V---
    DC电流增益(hFE)(Min&Range)30@5mA,5V---
    集电极电流Ic(最大值)100mA---
    工作温度+150℃(TJ)-55℃~+125℃-55℃~+125℃-55℃~+125℃
    Vce饱和值150mV---
    供应商器件封装TO-236AB(SOT23)---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    功率(最大值)250mW---
    跃迁频率230MHz---
    集电极电流 Ic100mA---
    额定功率250mW---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)--1(无限)
    长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm0.60 x 0.30mm0.60 x 0.30mm0.60 x 0.30mm
    集射极击穿电压(最大值)50V---
    高度1.10mm0.30mm0.30mm0.30mm
    功率耗散250mW---
    集电极截止电流1µA---
    引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
    最小包装3000pcs15000pcs15000pcs-
    电阻器-发射极基底(R3)(欧姆)10k---
    输入电阻13KΩ---
    电阻器-基底(R2)(欧姆)10k---
    极性NPN---
    存储温度-65℃~+150℃--55℃~+125℃-
    制造商标准提前期8 周---
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))50V---
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    集电极-基极电压(VCBO)50V---
    品牌NexperiaFHWalsinMuRata
    精度-±10%±10%±10%
    成分-Ceramic--
    特性-Original--
    容值-10nF10nF10nF
    额定电压-10V10V10V
    等级--消费级-
    应用领域-ConsumerGeneral Purpose-
    卷盘尺寸-Φ180mmΦ180mm-
    系列--General PurposeGRM
    零件状态-ActiveActiveActive
    元件生命周期-ActiveActive-
    原始制造商-Guangdong Fenghua Advanced Technology Holding Co.,Ltd.Walsin Technology Corporation-
    原产国家-ChinaChina Taiwan-
    温度系数Tf-X7R±15%X7R
    电介质-X7RX7RX7R
    脚间距--0.45mm0.45mm
    认证信息--RoHS-
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