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    AC1206JR-07100RLBSS192,115、BSS192,135、BST82,215 的区别

    AC1206JR-07100RL

    制造商:Yageo

    最优价格:¥0.01598

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    BSS192,115

    制造商:Nexperia

    最优价格:

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    BSS192,135

    制造商:Nexperia

    最优价格:

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    BST82,215

    制造商:Nexperia

    最优价格:¥0.74994

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    ECCN编码
    长x宽/尺寸3.10 x 1.60mm4.60 x 2.60mm4.50 x 2.50mm2.90 x 1.30mm
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    温度系数±100ppm/℃---
    工作温度-55℃~+155℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃-65℃~+150℃(TJ)
    封装/外壳1206SOT89-3SOT89-3SOT-23
    精度±5%---
    功率250mW---
    技术/工艺厚膜---
    特性----
    原始制造商Yageo CorporationNexperia Electronics Co. LtdNexperia Electronics Co. LtdNexperia Semiconductor Co., Ltd.
    元件生命周期Active---
    等级AEC-Q200---
    是否无铅YesYesYesYes
    系列AC--TrenchMOS™
    最小包装5000pcs1000pcs1000pcs3000pcs
    电阻类型厚膜电阻---
    额定电压200V---
    卷盘尺寸Φ180mm---
    存储温度-55℃~+155℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃-65℃~+150℃
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    应用Automotive Electronics, Consumer, Industrial---
    品牌YageoNexperiaNexperiaNexperia
    高度0.55mm1.60mm1.50mm1.10mm
    认证信息RoHS, HF(halogen free), AEC-Q200--RoHS
    原产国家China TaiwanNetherlandsNetherlandsAmerica
    阻值100Ω---
    阈值电压-2.8V@1mA2.8V@1mA2V@1mA
    连续漏极电流-200mA200mA190mA
    栅极电荷(Qg)----
    配置-单路单路单路
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    晶体管类型-P沟道P沟道N沟道
    FET功能----
    漏源电压(Vdss)-240V240V100V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)--12欧姆@200mA,10V10欧姆@150mA,5V
    充电电量-1.9nC1.9nC-
    反向传输电容Crss-5pF5pF5pF
    击穿电压-240V240V100V
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    极性-P-沟道P-沟道N-沟道
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-10V-5V
    输入电容-55pF55pF40pF
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
    零件状态-ActiveActiveActive
    功率耗散-1W1W830mW
    制造商标准提前期-13 周13 周8 周
    漏极电流---190mA
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