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AC1206JR-07100RL 与
2N7002,215、BSS123,215、BSS192,115 的区别
制造商：Yageo 最优价格：￥0.01598 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Nexperia 最优价格：￥0.07364 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Nexperia 最优价格：￥0.26798 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Nexperia 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 长x宽/尺寸 | 3.10 x 1.60mm | 3.00 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm | 4.60 x 2.60mm |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 包装 | Tape/Reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 温度系数 | ±100ppm/℃ | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+175℃ |
| 封装/外壳 | 1206 | SOT-23 | SOT-23 | SOT89-3 |
| 精度 | ±5% | - | - | - |
| 功率 | 250mW | - | - | - |
| 技术/工艺 | 厚膜 | - | - | - |
| 特性 | - | - | - | - |
| 原始制造商 | Yageo Corporation | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. | Nexperia Electronics Co. Ltd |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | - |
| 等级 | AEC-Q200 | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes |
| 系列 | AC | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | - |
| 最小包装 | 5000pcs | 3000pcs | 3000pcs | 1000pcs |
| 电阻类型 | 厚膜电阻 | - | - | - |
| 额定电压 | 200V | - | - | - |
| 卷盘尺寸 | Φ180mm | - | - | - |
| 存储温度 | -55℃~+155℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+175℃ |
| 引脚数 | 2Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 应用 | Automotive Electronics, Consumer, Industrial | - | - | - |
| 品牌 | Yageo | Nexperia | Nexperia | Nexperia |
| 高度 | 0.55mm | 1.10mm | 1.10mm | 1.60mm |
| 认证信息 | RoHS, HF(halogen free), AEC-Q200 | - | - | - |
| 原产国家 | China Taiwan | America | Netherlands | Netherlands |
| 阻值 | 100Ω | - | - | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | - |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | P沟道 |
| 漏极电流 | - | 300mA | - | - |
| 阈值电压 | - | 2.5V@250µA | 2.8V@1mA | 2.8V@1mA |
| 连续漏极电流 | - | 300mA | 150mA | 200mA |
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V | 100V | 240V |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 输入电容 | - | 50pF | 23pF | 55pF |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | P-沟道 |
| 击穿电压 | - | 60V | 100V | 240V |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±30V | ±20V | ±20V |
| 反向传输电容Crss | - | 3.5pF | 4pF | 5pF |
| 功率耗散 | - | 830mW | 250mW | 1W |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | 10V | 10V |
| 技术路线 | - | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 制造商标准提前期 | - | 8 周 | 8 周 | 13 周 |
| 印字代码 | - | 0.12 | - | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | - | - | 6欧姆@120mA，10V | - |
| 充电电量 | - | - | - | 1.9nC |
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