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X1E000021059600 与
X1E0000210596 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 年老化率 | ±1ppm/year | - | ||
| 主频频率 | 30MHz | 30MHz | ||
| 封装/外壳 | SMD3225_4P | SMD3225_4P | ||
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -40℃~+85℃ | ||
| 引脚数 | 4Pin | 4Pin | ||
| 长x宽/尺寸 | 3.20 x 2.50mm | 3.20 x 2.50mm | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 频率误差 | ±10ppm | ±10ppm | ||
| 负载电容 | 10pF | 10pF | ||
| 原产国家 | Japan | - | ||
| 产品状态 | Active | - | ||
| 谐振模式 | Fundamental | - | ||
| 认证信息 | RoHS | - | ||
| 切型 | AT Cut | - | ||
| 应用领域 | Intelligent Mobile Phone, ISM Band, Wireless LAn/Bluetooth | - | ||
| 激励功率 | 100μW | - | ||
| 输出波形 | Sine Wave | - | ||
| 存储温度 | -40℃~+125℃ | - | ||
| 高度 | 0.60mm | 0.60mm | ||
| 封装技术 | Seam Sealing | - | ||
| 载带标准 | 8.0mm | - | ||
| 频率稳定性 | ±20ppm | ±20ppm | ||
| 系列 | TSX-3225 | - | ||
| 等级 | Industrial | - | ||
| 静电容 | 1.27pF | - | ||
| 是否无铅 | Yes | - | ||
| 绝缘电阻 | 500MΩ @ DC100V | - | ||
| 元件生命周期 | Active | - | ||
| 等效串联电阻 | 40Ω | 40Ω | ||
| 材质 | Quartz Crystal | - | ||
| 原始制造商 | Seiko Epson Corporation | - | ||
| 类型 | - | 贴片晶振 | ||
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