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    IRLML2246TRPBFAC0402FR-0749K9L、0402WGF4992TCE、WR04X4992FTL 的区别

    IRLML2246TRPBF

    制造商:Infineon

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    AC0402FR-0749K9L

    制造商:Yageo

    最优价格:¥0.00336

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    0402WGF4992TCE

    制造商:Uniohm

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    WR04X4992FTL

    制造商:Walsin

    最优价格:¥0.00208

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23040204020402
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    漏极电流2.6A---
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃
    FET功能----
    Vgs(Max)±12V---
    配置单路---
    阈值电压1.1V@10µA---
    连续漏极电流2.6A---
    晶体管类型P沟道---
    包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    漏源电压(Vdss)20V---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    原产国家GermanyChina TaiwanChina TaiwanChina Taiwan
    品牌InfineonYageoUniohmWalsin
    是否无铅YesYesYesYes
    印字代码XYWLC---
    原始制造商Infineon Technologies AGYageo CorporationUniroyal Electronics Global Co., Ltd.Walsin Technology Corporation
    认证信息RoHSRoHS, HF(halogen free), AEC-Q200SGSHF(halogen free), RoHS
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    极性P-沟道---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)135mΩ@4.5V,2.6A---
    额定功率1.3W---
    输入电容220pF@16V---
    击穿电压20V---
    类型1个P沟道---
    栅极源极击穿电压±12V---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,4.5V---
    反向传输电容Crss48pF---
    充电电量2.9nC---
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    功率耗散1.3W---
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃+5℃~+40℃
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm1.00 x 0.50mm1.00 x 0.50mm1.00 x 0.50mm
    零件状态Active---
    高度1.12mm0.32mm0.35mm0.35mm
    系列HEXFET®AC-WR04
    引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
    制造商标准提前期11 周---
    最小包装3000pcs10000pcs10000pcs10000pcs
    特性----
    精度-±1%±1%±1%
    温度系数-±100ppm/℃±100ppm/℃±100ppm/℃
    技术/工艺-厚膜厚膜厚膜
    功率-62.5mW62.5mW62.5mW
    应用-Automotive Electronics, Consumer, IndustrialConsumerConsumer
    卷盘尺寸-Φ180mmΦ180mmΦ180mm
    电阻类型-厚膜电阻厚膜电阻厚膜电阻
    等级-AEC-Q200消费级消费级
    额定电压-50V50V50V
    阻值-49.9KΩ49.9KΩ49.9KΩ
    脚间距---0.75mm
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