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SI1308EDL-T1-GE3 与
GCM31CC71E106KA03L、GCM31CC71E106KA01L、GCJ31CC71E106KA15L 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 栅极电荷(Qg) | 4.1nC | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ |
| 漏极电流 | 1.4A | - | - | - |
| Vgs(Max) | ±12V | - | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT-323 | 1206 | 1206 | 1206 |
| 包装 | Tape/reel | Tape/Reel | - | Embossed Taping |
| 配置 | 单路 | - | - | - |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | - |
| 连续漏极电流 | 1.4A | - | - | - |
| 阈值电压 | 1.5V@250µA | - | - | - |
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | Murata Manufacturing Co., Ltd. | - | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 原产国家 | America | - | - | Japan |
| 元件生命周期 | Active | - | - | Active |
| 长x宽/尺寸 | 2.20 x 1.35mm | 3.20 x 1.60mm | 3.20 x 1.60mm | 3.20 x 1.60mm |
| 是否无铅 | Yes | - | - | Yes |
| 高度 | 1.10mm | 1.60mm | 1.60mm | 1.60mm |
| 类型 | 1个N沟道 | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | - | 1（无限） |
| 额定功率 | 400mW,500mW | - | - | - |
| 制造商标准提前期 | 19 周 | - | - | - |
| 品牌 | Vishay | MuRata | MuRata | MuRata |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 132mΩ@10V,1.4A | - | - | - |
| 系列 | TrenchFET® | GCM | GCM | GCJ |
| 极性 | N-沟道 | - | - | - |
| 引脚数 | 3Pin | 2Pin | 2Pin | 2Pin |
| 零件状态 | Active | Active | - | Active |
| 击穿电压 | 30V | - | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±12V | - | - | - |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| 反向传输电容Crss | 11pF | - | - | - |
| 充电电量 | 2.7nC | - | - | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 2.5V，10V | - | - | - |
| 功率耗散 | 500mW | - | - | - |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | -55℃~+125℃ |
| 输入电容 | 105pF | - | - | - |
| 最小包装 | 3000pcs | - | - | 4000pcs |
| 等级 | - | AEC-Q200 | AEC-Q200 | AEC-Q200 |
| 额定电压 | - | 25V | 25V | 25V |
| 容值 | - | 10µF | 10µF | 10µF |
| 脚间距 | - | 2.65mm | - | - |
| 应用领域 | - | Automotive | AEC-Q200 | ETC, Control Circuits Of Headlights |
| 特性 | - | - | Original | - |
| 精度 | - | ±10% | ±10% | ±10% |
| 温度系数Tf | - | X7S | X7S | ±22% |
| 电介质 | - | X7S | X7S | X7S |
| 成分 | - | - | - | Ceramic |
| 卷盘尺寸 | - | - | - | Φ180mm |
| 认证信息 | - | - | - | RoHS |
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