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    SI1308EDL-T1-GE3GCM31CC71E106KA01L、GCJ31CC71E106KA15L、GCM31CC71E106KA03L 的区别

    SI1308EDL-T1-GE3

    制造商:Vishay

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    GCM31CC71E106KA01L

    制造商:Murata

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    GCJ31CC71E106KA15L

    制造商:Murata

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    GCM31CC71E106KA03L

    制造商:Murata

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-323120612061206
    包装Tape/reel-Embossed TapingTape/Reel
    配置单路---
    晶体管类型N沟道---
    连续漏极电流1.4A---
    阈值电压1.5V@250µA---
    栅极电荷(Qg)4.1nC---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    漏源电压(Vdss)30V---
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+125℃-55℃~+125℃-55℃~+125℃
    漏极电流1.4A---
    Vgs(Max)±12V---
    FET功能----
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)-
    类型1个N沟道---
    制造商标准提前期19 周---
    品牌VishayMuRataMuRataMuRata
    额定功率400mW,500mW---
    系列TrenchFET®GCMGCJGCM
    极性N-沟道---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)132mΩ@10V,1.4A---
    引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
    零件状态Active-ActiveActive
    击穿电压30V---
    栅极源极击穿电压±12V---
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    反向传输电容Crss11pF---
    充电电量2.7nC---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,10V---
    功率耗散500mW---
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+125℃-
    输入电容105pF---
    最小包装3000pcs-4000pcs-
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.-Murata Manufacturing Co., Ltd.Murata Manufacturing Co., Ltd.
    原产国家America-Japan-
    元件生命周期Active-Active-
    长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm3.20 x 1.60mm3.20 x 1.60mm3.20 x 1.60mm
    是否无铅Yes-Yes-
    高度1.10mm1.60mm1.60mm1.60mm
    特性-Original--
    应用领域-AEC-Q200ETC, Control Circuits Of HeadlightsAutomotive
    额定电压-25V25V25V
    容值-10µF10µF10µF
    等级-AEC-Q200AEC-Q200AEC-Q200
    精度-±10%±10%±10%
    电介质-X7SX7SX7S
    温度系数Tf-X7S±22%X7S
    成分--Ceramic-
    卷盘尺寸--Φ180mm-
    认证信息--RoHS-
    脚间距---2.65mm
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