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    SI2319CDS-T1-GE3NTR4502PT1G、DMP1045U-7、DMP3130L-7 的区别

    SI2319CDS-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥1.05881

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    NTR4502PT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.28600

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    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.28500

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    DMP3130L-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.37968

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    ECCN编码
    连续漏极电流4.4A1.13A4A3A
    阈值电压2.5V@250µA3V@250µA1V1.3V
    漏源电压(Vdss)40V30V12V30V
    Vgs(Max)±20V±20V±8V±12V
    FET功能----
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    漏极电流4.4A1.13A4A3.5A
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道P沟道
    配置单路单路--
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    功率耗散1.25W400mW800mW700mW
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V4.5V,10V-2.5V,10V
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    输入电容595pF@20V200pF@15V1.357nF864pF
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.ON Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
    额定功率1.25W,2.5W400mW800mW700mW
    原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)77mΩ@10V,3.1A200mΩ@10V,1.95A31mΩ@4.5V,4A77mΩ@10V,4.2A
    长x宽/尺寸2.95 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    类型1个P沟道1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    高度1.00mm1.00mm1.00mm1.03mm
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    是否无铅YesYesYesYes
    品牌VishayONDIODESDIODES
    脚间距1.9mm---
    极性P-沟道P-沟道P-沟道P-沟道
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    击穿电压40V30V--
    系列TrenchFET®---
    栅极源极击穿电压±20V±20V±8V±12V
    制造商标准提前期19 周20 周8 周8 周
    反向传输电容Crss61pF50pF235pF62pF
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    充电电量21nC6nC15.8nC24nC
    印字代码-TR2 M= =--
    认证信息-RoHS--
    栅极电荷(Qg)--15.8nC24nC
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