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    TP0610K-T1-E3AZ431LANTR-G1 的区别

    TP0610K-T1-E3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.99177

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    AZ431LANTR-G1

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.22000

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    ECCN编码
    晶体管类型P沟道-
    漏源电压(Vdss)60V-
    包装Tape/reel-
    安装类型SMTSMT
    封装/外壳SOT-23SOT-23
    FET功能--
    Vgs(Max)±20V-
    漏极电流185mA-
    配置单路-
    工作温度-55℃~+150℃-40℃~+125℃
    连续漏极电流185A-
    阈值电压3V@250µA-
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)-
    高度1.00mm1.10mm
    引脚数3Pin3Pin
    零件状态Active-
    原产国家America-
    认证信息RoHS, HF(halogen free),-
    是否无铅YesYes
    应用Consumer-
    元件生命周期Active-
    应用等级Consumer-
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.Diodes Incorporated
    栅极源极击穿电压±20V-
    功率耗散350mW-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V-
    品牌VishayDiodes
    最小包装3000pcs3000pcs
    系列TrenchFET®-
    极性P-沟道-
    脚间距1.9mm-
    制造商标准提前期15 周-
    额定功率350mW-
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-
    击穿电压60V-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@10V,500mA-
    反向传输电容Crss5pF-
    类型1个P沟道-
    输入电容23pF-
    充电电量1.7nC-
    存储温度-55℃~+150℃-
    长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    参考源类型-Shunt
    输出电压-1.24V
    输出类型-可调
    精度-±0.5%
    温度系数(温漂)-20ppm/℃
    阴极电流-80μA
    输出电流-100mA
    工作电流--
    初始精度(误差)-±0.5%
    容差-±0.5%
    输入电压--
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