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    AL8821SP-13AO6408、VB7322、ZXMN3A03E6TA 的区别

    AL8821SP-13

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.46400

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    AO6408

    制造商:AOS

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    VB7322

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.77970

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    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥8.84450

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    ECCN编码
    类型交直流离线开关--1个N沟道
    内置开关管---
    驱动类型升压恒流---
    引脚数9Pin-6Pin6Pin
    LED驱动电流(Max,单通道)2A---
    工作电压5V~36V---
    调光类型Triac---
    封装/外壳SOIC8_150MIL_EPSC74,SOT457TSOP-6SOT26
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    输出电压36V---
    工作频率1MHz---
    输出电流2A---
    开关频率1MHz---
    拓扑结构升压---
    输入电压5V~36V---
    品牌Diodes-VBsemiDIODES
    调光Triac---
    工作温度-40℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    通道数1---
    每个通道的输出电流2A(开关)---
    长x宽/尺寸5.10 x 4.00mm-3.05 x 1.65mm3.00 x 1.60mm
    是否无铅YesYesYesNo
    高度1.55mm-1.10mm1.15mm
    系列----
    最小包装1pcs-3000pcs3000pcs
    输出通道数1---
    原产国家America-China TaiwanAmerica
    漏源电压(Vdss)-20V30V30V
    连续漏极电流-8.8A5.5A4.6A
    阈值电压-1V@250µA1.5V@250µA1V
    包装-剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    功率耗散-2W1.3W1.1W
    零件状态-过期ActiveActive
    输入电容-2.2nF@10V424pF600pF
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-18毫欧@8.8A,10V27mΩ50mΩ@10V,7.8A
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    配置--单路-
    Vgs(Max)--±20V±20V
    漏极电流--6A-
    栅极电荷(Qg)--13nC-
    极性--N-沟道N-沟道
    原始制造商--VBsemi Electronics Co. LtdDiodes Incorporated
    元件生命周期--ActiveActive
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    充电电量--4.2nC12.6nC
    反向传输电容Crss--42pF-
    击穿电压--30V30V
    栅极源极击穿电压--±20V±20V
    额定功率---1.1W
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)---4.5V,10V
    制造商标准提前期---10 周
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