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    MMBT5551-7-FMMBT5551-TP、SMMBT5551LT1G、MMBT5551_R1_00001 的区别

    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.12825

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.07410

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    SMMBT5551LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30522

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.14634

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    ECCN编码
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel-
    Vce饱和压降200mV500mV200mV200mV
    跃迁频率100MHz100MHz-100MHz
    DC电流增益(hFE)501008080@10mA,5V
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V160V
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA600mA
    是否无铅YesYesYesYes
    品牌DIODESMCCONPANJIT
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    系列OriginalOriginalMMBT5551L-
    特征频率(fT)300MHz100MHz-100MHz
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs-
    集电极截止电流 (Icbo)500nA(ICBO)50nA(ICBO)100nA-
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    高度1.10mm1.00mm1.11mm1.10mm
    制造商标准提前期12 周8 周12 周-
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    功率耗散300mW300mW225mW250mW
    极性-NPNNPN-
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)-
    额定功率300mW300mW225mW250mW
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))160V160V160V160V
    原始制造商-Micro Commercial ComponentsON Semiconductor-
    原产国家-AmericaAmericaChina Taiwan
    元件生命周期-Active-Active
    配置--单路-
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V-
    认证信息--AEC-Q101,-
    集电极-基极电压(VCBO)--180V-
    印字代码--G1-
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