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    MMBT5551-7-FMMBT5551LT3G、MMBT5551-TP、SMMBT5551LT1G 的区别

    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.12825

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.19710

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.07410

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    SMMBT5551LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30522

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    ECCN编码
    DC电流增益(hFE)5080~25010080
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V160V
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    Vce饱和压降200mV200mV500mV200mV
    跃迁频率100MHz-100MHz-
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    系列Original-OriginalMMBT5551L
    特征频率(fT)300MHz-100MHz-
    最小包装3000pcs10000pcs3000pcs3000pcs
    集电极截止电流 (Icbo)500nA(ICBO)100nA50nA(ICBO)100nA
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    制造商标准提前期12 周12 周8 周12 周
    高度1.10mm1.11mm1.00mm1.11mm
    功率耗散300mW225mW300mW225mW
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    极性-NPNNPNNPN
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    额定功率300mW225mW300mW225mW
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))160V160V160V160V
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA600mA
    是否无铅YesYesYesYes
    品牌DIODESONMCCON
    配置-单路-单路
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V-6V
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    原始制造商-ON SemiconductorMicro Commercial ComponentsON Semiconductor
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    印字代码-G1-G1
    集电极-基极电压(VCBO)-180V-180V
    元件生命周期--Active-
    认证信息---AEC-Q101,
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