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    DMP3099L-7NTR4171PT1G、DMP1045U-7、DMP3130L-7 的区别

    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

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    NTR4171PT1G

    制造商:ON

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    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

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    DMP3130L-7

    制造商:DIODES

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    FET功能----
    阈值电压2.1V1.4V@250μA1V1.3V
    连续漏极电流3.8A2.2A4A3A
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道P沟道
    漏极电流3.8A-4A3.5A
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    Vgs(Max)±20V±12V±8V±12V
    栅极电荷(Qg)5.2nC-15.8nC24nC
    漏源电压(Vdss)30V30V12V30V
    系列----
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@10V,3.8A75mΩ@10V,2.2A31mΩ@4.5V,4A77mΩ@10V,4.2A
    类型1个P沟道1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    功率耗散1.08W480mW800mW700mW
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    输入电容563pF720pF@15V1.357nF864pF
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V2.5V,10V-2.5V,10V
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    栅极源极击穿电压±20V±12V±8V±12V
    额定功率1.08W480mW800mW700mW
    极性P-沟道P-沟道P-沟道P-沟道
    反向传输电容Crss41pF65pF235pF62pF
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度1.00mm1.10mm1.00mm1.03mm
    是否无铅YesYesYesYes
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    充电电量5.2nC15.6nC15.8nC24nC
    元件生命周期Active-ActiveActive
    品牌DIODESONDIODESDIODES
    原始制造商Diodes IncorporatedON SemiconductorDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    制造商标准提前期8 周25 周8 周8 周
    原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
    配置-单路--
    击穿电压-30V--
    认证信息-RoHS--
    存储温度--55℃~+150℃--
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